[發明專利]溝槽柵功率MOSFET結構及其制造方法有效
| 申請號： | 201610374736.4 | 申請日： | 2016-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN106024894B | 公開（公告）日： | 2020-02-07 |
| 發明（設計）人： | 柯行飛;繆進征 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知識產權代理有限公司 | 代理人： | 郭四華 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝槽 功率 mosfet 結構 及其 制造 方法 | ||
【說明書】：
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