[發(fā)明專(zhuān)利]一種用于多元碳與陶瓷基復(fù)合材料的環(huán)境障涂層及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610371823.4
• 申請(qǐng)日: 2016-05-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106747670A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅瑞盈
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京航空航天大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): C04B41/89
• 分類(lèi)號(hào): C04B41/89
• 代理公司: 北京酷愛(ài)智慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11514
• 代理人: 趙永輝

1.一種用于多元碳與陶瓷基復(fù)合材料的環(huán)境障涂層，其特征在于，

自基體材料向外依次包括硅粘結(jié)層、莫來(lái)石層、稀土硅酸鹽層及稀土鋯酸鹽層；

所述硅粘結(jié)層的厚度為60～70μm，所述莫來(lái)石層的厚度為60～80μm，所述稀土硅酸鹽層的厚度為100～120μm，所述稀土鋯酸鹽層的厚度為100～150μm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于多元碳與陶瓷基復(fù)合材料的環(huán)境障涂層，其特征在于，所述稀土硅酸鹽層所用材料為單硅酸鐿或焦硅酸鐿，所述稀土鋯酸鹽層所用材料為鋯酸鑭。

3.一種用于多元碳與陶瓷基復(fù)合材料的環(huán)境障涂層的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：

步驟S1，在基體材料的表面設(shè)置硅粘結(jié)層；

步驟S2，在所述硅粘結(jié)層的表面設(shè)置莫來(lái)石層；

步驟S3，在所述莫來(lái)石層的表面設(shè)置稀土硅酸鹽層；

步驟S4，在所述稀土硅酸鹽層的表面設(shè)置稀土鋯酸鹽層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述制備方法，其特征在于，

所述硅粘結(jié)層的厚度為60～70μm，所述莫來(lái)石層的厚度為60～80μm，所述稀土硅酸鹽層的厚度為100～120μm，所述稀土鋯酸鹽層的厚度為100～150μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述制備方法，其特征在于，在所述步驟S1之前，還包括：

將所述基體材料切削至所需尺寸，并對(duì)其進(jìn)行表面處理，以增加涂層與所述基體材料之間的機(jī)械粘結(jié)強(qiáng)度；

用去離子水對(duì)所述基體材料的表面進(jìn)行清洗，并將清洗過(guò)的基體材料放入烘箱中進(jìn)行干燥。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述制備方法，其特征在于，所述基體材料為多元碳與陶瓷基復(fù)合材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述制備方法，其特征在于，所述步驟S1具體包括：

利用等離子噴涂工藝、電子束物理氣相沉積工藝或化學(xué)氣相沉積工藝在所述基體材料的表面制備硅粘結(jié)層；

制備所述硅粘結(jié)層所用硅粉的目數(shù)為200目。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述制備方法，其特征在于，所述步驟S2具體包括：

利用等離子噴涂工藝、電子束物理氣相沉積工藝或化學(xué)氣相沉積工藝在所述硅粘結(jié)層的表面制備莫來(lái)石層；

制備所述莫來(lái)石層所用的莫來(lái)石粉體的粒度為30～50μm。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述制備方法，其特征在于，所述步驟S3具體包括：

利用等離子噴涂工藝或電子束物理氣相沉積工藝在所述莫來(lái)石層的表面制備稀土硅酸鹽層；

制備所述稀土硅酸鹽層所用稀土硅酸鹽包括單硅酸鐿、焦硅酸鐿或硅酸釔，所述稀土硅酸鹽的粉體的粒度為40～80μm。

10.根據(jù)權(quán)利要求3所述制備方法，其特征在于，所述步驟S4具體包括：

利用等離子噴涂工藝或電子束物理氣相沉積工藝在所述稀土硅酸鹽層的表面制備稀土鋯酸鹽層；

制備所述稀土鋯酸鹽層所用稀土鋯酸鹽為鋯酸鑭、鋯酸釤或鋯酸釓，所述稀土鋯酸鹽的粉體的粒度為50～70μm。