[發明專利]一種共面波導寬阻帶濾波器

有效

• 申請號: 201610371666.7
• 申請日: 2016-05-30
• 公開（公告）號: CN105789742B
• 公開（公告）日: 2018-09-11
• 發明（設計）人: 鄧中亮;甘俊;魏浩;郭旭兵
• 申請（專利權）人: 北京郵電大學
• 主分類號: H01P1/20
• 分類號: H01P1/20;H01P1/203;H01P7/08
• 代理公司: 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413
• 代理人: 馬敬;項京

1.一種共面波導寬阻帶濾波器，其特征在于，包括共面波導λg/4型的SIR短路支節單元結構，及嵌套在共面波導λg/4型的SIR短路支節單元結構中的至少一層共面波導的缺陷結構，

所述的共面波導λg/4型的SIR短路支節單元結構，包括共面波導結構及嵌套在共面波導結構中的λg/4型的SIR單元結構，

所述的共面波導結構，包括介質基片，在介質基片上表面中間位置處敷設有共面波導信號線，在共面波導信號線兩側敷設有共面波導地，所述的共面波導信號線和共面波導地之間留有間隙，

所述的λg/4型的SIR單元結構，包括相連接的一根較粗的傳輸線和一根較細的傳輸線，所述的共面波導結構和λg/4型的SIR單元結構在嵌套成共面波導λg/4型的SIR短路支節單元結構時，所述的較細的傳輸線一端與所述的共面波導地連接形成短路，所述的較粗的傳輸線一端與共面波導地、共面波導信號線都不連接，形成開路，

所述的共面波導的缺陷結構，包括所述的共面波導結構，在所述的共面波導地上分別開有矩形的缺陷地，缺陷地朝向共面波導信號線一側，通過一開口與共面波導信號線和共面波導地之間的間隙相連通，

所述的共面波導λg/4型的SIR短路支節單元結構和共面波導的缺陷結構在嵌套成共面波導寬阻帶濾波器時，所述的共面波導的缺陷結構的缺陷地部分嵌套在共面波導λg/4型的SIR短路支節單元結構中較粗的傳輸線中，共面波導的缺陷結構的缺陷地部分的開口朝向共面波導的缺陷結構共面波導λg/4型的SIR短路支節單元結構中共面波導信號線一側。

2.根據權利要求1所述的共面波導寬阻帶濾波器，其特征在于，所述的共面波導λg/4型的SIR短路支節單元結構中嵌套有一層共面波導的缺陷結構，所述的共面波導的缺陷結構的缺陷地部分嵌套在共面波導λg/4型的SIR短路支節單元結構中較粗的傳輸線中，共面波導的缺陷結構的缺陷地部分的開口朝向所述的共面波導信號線一側。

3.根據權利要求2所述的共面波導寬阻帶濾波器，其特征在于，所述的共面波導的缺陷結構的缺陷地部分為一矩形環。

4.根據權利要求1所述的共面波導寬阻帶濾波器，其特征在于，所述的共面波導λg/4型的SIR短路支節單元結構中嵌套有兩層共面波導的缺陷結構，所述的第一層共面波導的缺陷結構的缺陷地部分嵌套在共面波導λg/4型的SIR短路支節單元結構中較粗的傳輸線中，第一層共面波導的缺陷結構的缺陷地部分的開口朝向所述的共面波導λg/4型的SIR短路支節單元結構中共面波導信號線一側，第一層共面波導的缺陷結構的缺陷地部分為一矩形環，矩形環內的共面波導地不完全鏤空，所述的第二層共面波導的缺陷結構的缺陷地部分嵌套在第一層共面波導的缺陷結構的缺陷地部分內的共面波導地中，第二層共面波導的缺陷結構的缺陷地部分的開口朝向所述的共面波導λg/4型的SIR短路支節單元結構中共面波導信號線一側。

5.根據權利要求1所述的共面波導寬阻帶濾波器，其特征在于，所述的共面波導λg/4型的SIR短路支節單元結構中嵌套有兩層共面波導的缺陷結構，所述的第一層共面波導的缺陷結構的缺陷地部分嵌套在共面波導λg/4型的SIR短路支節單元結構中較粗的傳輸線中，第一層共面波導的缺陷結構的缺陷地部分的開口朝向所述的共面波導λg/4型的SIR短路支節單元結構中共面波導信號線一側，第一層共面波導的缺陷結構的缺陷地部分為一矩形環，矩形環內的共面波導地不完全鏤空，所述的第二層共面波導的缺陷結構的缺陷地部分嵌套在第一層共面波導的缺陷結構的缺陷地部分內的共面波導地中，第二層共面波導的缺陷結構的缺陷地部分的開口朝向所述的共面波導λg/4型的SIR短路支節單元結構中和共面波導信號線相對平行的一側。