[發明專利]一種抗PID單晶太陽電池鍍雙層減反射膜工藝

有效

• 申請號: 201610371468.0
• 申請日: 2016-05-31
• 公開（公告）號: CN106024973B
• 公開（公告）日: 2017-11-24
• 發明（設計）人: 丁繼業;陳剛剛;安百俊;王志強;賈鵬;謝余才;崔智秋
• 申請（專利權）人: 寧夏銀星能源光伏發電設備制造有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 廣州市一新專利商標事務所有限公司44220
• 代理人: 張芳

1.一種抗PID單晶太陽電池鍍雙層減反射膜工藝，其特征在于，包括如下步驟：

(1)在去磷硅玻璃后的硅片上生長一層氧化層，具體采用紫外氧化工藝，工藝溫度控制在350～400℃，氧氣流量控制在4～10L/min，時間控制在20-50s，在硅片表面形成致密氧化層；

(2)將硅片插入石墨舟后送進爐管；

(3)爐管抽真空，使爐管內壓力降到35mtorr以下；

(4)給爐管通入氨氣6000～6200sccm，控制爐管內壓力在1600～1700mtorr，溫度控制在425℃，打開射頻電源，控制射頻電源功率6500～6650w，占空比4:45，持續時間300～330秒；

(5)關閉射頻電源，抽真空使爐內壓力降到35mtorr以下，通入氮氣，氮氣流量10000～20000sccm，使爐管內壓力恢復至常壓，停止通氣，再抽真空使爐管內壓力降到35毫托以下，通入氮氣，氮氣流量10000～20000sccm，使爐管內壓力恢復常壓，停止通氣；

(6)抽真空使爐管內壓力降到35mtorr以下，通入氨氣，氨氣流量6000～6200sccm，通入硅烷，硅烷流量800～850sccm，爐管壓力控制在1600～1700mtorr，溫度控制在425℃，打開射頻電源，射頻電源功率6500～6650w，占空比3:36，持續時間120～130秒；

(7)關閉射頻電源，抽真空使爐管內壓力降至35mtorr以下，通入氮氣，氮氣流量10000～20000sccm，使爐管壓力恢復常壓，停止通氣；

(8)抽真空使爐管內壓力降至35mtorr以下，通入氨氣，氨氣流量5300～5500sccm，通入硅烷，硅烷流量580～680sccm，爐管壓力控制在1600～1700mtorr，溫度控制在425℃，打開射頻電源，射頻電源功率6500～6650w，占空比3:36，持續時間620～630秒；

(9)關閉射頻電源，抽真空使爐管內壓力降至35mtorr以下，通入氮氣，氮氣流量10000～20000sccm，使爐管壓力恢復常壓，停止通氣。

2.如權利要求1所述的一種抗PID單晶太陽電池鍍雙層減反射膜工藝，其特征在于：步驟(4)和(6)和(8)中均利用真空泵電磁閥控制爐管內壓力。