[發明專利]晶圓承載膜在審
| 申請號: | 201610368650.0 | 申請日: | 2016-05-30 | 
| 公開(公告)號: | CN107452663A | 公開(公告)日: | 2017-12-08 | 
| 發明(設計)人: | 桂俊君;唐強;林保璋 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 | 
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 | 
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司11018 | 代理人: | 梁少微,王麗琴 | 
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 | 
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 承載 | ||
技術領域
本發明涉及半導體制作技術領域,特別涉及一種晶圓承載膜。
背景技術
目前,隨著電子設備的廣泛應用,半導體的制造工藝得到了飛速的發展,在半導體的制造流程中,涉及化學機械研磨工藝(CMP)。晶圓(wafer)的平坦化制作工藝都是依賴化學機械研磨機臺來完成,現有技術中化學機械研磨機臺包括三個研磨臺和一個晶圓承載基座。將晶圓放置到晶圓承載基座的晶圓承載膜上,晶圓正面與晶圓承載膜接觸,通過旋轉研磨頭的位置,將研磨頭正對于晶圓承載基座上的晶圓,將晶圓吸附到研磨頭上,然后選擇研磨臺進行晶圓的化學機械研磨。
現有技術中晶圓承載膜是由橡膠材料制成,但是使用壽命只有兩天左右,所以每次保養時都需要更換晶圓承載膜。
發明內容
有鑒于此,本發明的主要目的在于提供一種晶圓承載膜,該晶圓承載膜使用壽命有效提高。
為達到上述目的,本發明的技術方案具體是這樣實現的:
本發明公開了一種晶圓承載膜,位于晶圓承載基座上,用于承載晶圓,所述晶圓承載膜包括兩層,與晶圓承載基座接觸的第一層為聚乙烯醇,與晶圓接觸的第二層為海綿體。
所述海綿體具有多孔結構。
所述海綿體為聚氨酯。
由上述的技術方案可見,本發明提供的一種晶圓承載膜,位于晶圓承載基 座上,用于承載晶圓,所述晶圓承載膜包括兩層,其中,與晶圓承載基座接觸的第一層為聚乙烯醇,具有強力粘接性,可以很好地與晶圓承載基座表面保持穩固和長期的粘貼性,有效地提高了晶圓承載膜的使用壽命。另外,與晶圓接觸的第二層為海綿體,海綿體能夠吸收液體并保持長時間的濕潤狀態,如此,晶圓與海綿體接觸后可以和外界空氣完全隔離,有效減少了顆粒和其他污染物的產生。
附圖說明
圖1為基座的膜上承載有晶圓的示意圖。
圖2為本發明實施例晶圓承載膜的切面示意圖。
圖3為本發明實施例晶圓承載膜的俯視圖。
具體實施方式
為使本發明的目的、技術方案、及優點更加清楚明白,以下參照附圖并舉實施例,對本發明進一步詳細說明。
在本文中,“示意性”表示“充當實例、例子或說明”,不應將在本文中被描述為“示意性”的任何圖示、實施方式解釋為一種更優選的或更具優點的技術方案。
為使圖面簡潔,各圖中的只示意性地表示出了與本發明相關部分,而并不代表其作為產品的實際結構。另外,以使圖面簡潔便于理解,在有些圖中具有相同結構或功能的部件,僅示意性地繪示了其中的一個,或僅標出了其中的一個。
在本文中,“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等僅用于表示相關部分之間的相對位置關系,而非限定這些相關部分的絕對位置。
在本文中,“第一”、“第二”等僅用于彼此的區分,而非表示重要程度及順序、以及互為存在的前提等。
現有技術中晶圓承載膜由橡膠材料構成,與晶圓承載基座的粘貼性不 夠,容易滑落,因而影響晶圓承載膜的使用壽命。因此,本發明為了提高晶圓承載膜的使用壽命,采用了由上下兩層材料構成的晶圓承載膜,其中,與晶圓承載基座接觸的第一層為聚乙烯醇(polyvinyl alcohol,PVA),與晶圓接觸的第二層為海綿體。圖1為基座的膜上承載有晶圓的示意圖。晶圓承載膜2位于晶圓承載基座1上,晶圓承載膜2承載晶圓3,晶圓3正面與晶圓承載膜2接觸。后續通過旋轉研磨頭的位置,將研磨頭正對于晶圓承載基座上的晶圓,將晶圓吸附到研磨頭上,然后選擇研磨臺進行晶圓的化學機械研磨。
圖2為本發明實施例晶圓承載膜的切面示意圖。該晶圓承載膜包括兩層,其中,與晶圓承載基座接觸的第一層101為聚乙烯醇,外觀為白色粉末,是一種用途相當廣泛的水溶性高分子聚合物,性能介于塑料和橡膠之間,它的用途可分為纖維和非纖維兩大用途。聚乙烯醇具有強力粘接性,可以很好地與晶圓承載基座表面保持穩固和長期的粘貼性,有效地提高了晶圓承載膜的使用壽命。還有,聚乙烯醇材料還具有更高的皮膜柔韌性、平滑性、耐油性、耐溶劑性、保護膠體性、氣體阻絕性、耐磨性以及經特殊處理具有的耐水性,因此使用壽命相比于橡膠要高很多。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司,未經中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610368650.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:分體式承版臺
 - 下一篇:從晶片揭除粘膜的方法及裝置
 
- 同類專利
 
- 專利分類
 
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





