[發明專利]一種錫酸鍶基柔性透明導電電極及其制備方法

有效

• 申請號: 201610365591.1
• 申請日: 2016-05-29
• 公開（公告）號: CN106024110B
• 公開（公告）日: 2017-08-29
• 發明（設計）人: 吳木營;楊雷;何林;凌東雄
• 申請（專利權）人: 東莞理工學院
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B13/00;C23C14/08;C23C14/20;C23C14/35
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司44102
• 代理人: 羅曉林

1.一種錫酸鍶基柔性透明導電電極，其特征在于：所述錫酸鍶基柔性透明導電電極沉積在柔性透明基材襯底上，所述錫酸鍶基柔性透明導電電極為SrSnO₃/Ag/SrSnO₃復合層狀結構，由兩層SrSnO₃薄膜層夾著Ag層組成；其中，

所述SrSnO₃薄膜層的厚度為30nm ～ 50nm；

所述Ag層的厚度為8nm ～ 11nm；

所述SrSnO₃薄膜層和所述Ag層是通過磁控濺射方式沉積在柔性透明基材襯底上；

所述柔性透明基材襯底為PC、PET或PEN。

2.一種錫酸鍶基柔性透明導電電極的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

SrSnO₃薄膜層沉積：以SrSnO₃和Ag作為靶材裝入磁控濺射腔體內，以柔性透明基材襯底為襯底，控制靶材與襯底的距離為80mm ～ 120mm，將磁控濺射系統的本底真空度抽至1.0×10^-3Pa以下，使用高純氬氣作為濺射氣體濺射SrSnO₃靶材，濺射功率為20～100W，進行沉積得到SrSnO₃薄膜層；

Ag層沉積：SrSnO₃薄膜層沉積完成后，用氬氣混合氣作為濺射氣體濺射Ag靶材，開始濺射Ag層，濺射功率20～40W，在SrSnO₃薄膜層沉積得到Ag層；

SrSnO₃薄膜層二次沉積：Ag層沉積完成后，將磁控濺射系統的本底真空度抽至1.0×10^-3Pa以下，使用高純氬氣作為濺射氣體二次濺射SrSnO₃靶材，濺射功率為20～100W，進行二次沉積在Ag層表面沉積得到SrSnO₃薄膜層。

3.根據權利要求2所述的錫酸鍶基柔性透明導電電極的制備方法，其特征在于：在所述SrSnO₃薄膜層沉積和所述SrSnO₃薄膜層二次沉積中濺射總氣壓0.5 Pa～3 Pa；在所述Ag層沉積過程中濺射氣壓為0.3 Pa～1.0 Pa。

4.根據權利要求3所述的錫酸鍶基柔性透明導電電極的制備方法，其特征在于：作為靶材的SrSnO₃是采用如下方法制備的：按SrSnO₃對應元素的化學計量比稱取SrCO₃和SnO₂粉體，研磨4h充分混合后在20MPa的壓力下壓制成型，最后放入電爐中燒制成作為靶材的SrSnO₃，所述電爐燒制的條件為逐步升溫至1300 ℃保持10 h。