[發明專利]全反射陣列基板及其制備方法、顯示器件

在審

• 申請號: 201610364884.8
• 申請日: 2016-05-27
• 公開（公告）號: CN105789121A
• 公開（公告）日: 2016-07-20
• 發明（設計）人: 莫再隆;代科;張正東
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 趙丹

1.一種全反射陣列基板的制備方法，其特征在于，所述陣列基板包括顯示區域和外圍 集成電路區域，所述制備方法包括：

步驟1、在承載基底上形成柵線和柵極、柵絕緣層、有源層、數據線和源、漏極、鈍化層和 鈍化層過孔；

步驟2、在所述承載基底上沉積金屬反射層薄膜，并在所述金屬反射層薄膜上沉積連接 線層薄膜；

步驟3、通過半曝光掩膜板進行構圖工藝，在所述顯示區域形成兼具像素電極功能和反 射功能的金屬反射層、在所述外圍集成電路區域形成連接線，所述連接線由金屬反射層和 連接線層構成。

2.根據權利要求1所述的全反射陣列基板的制備方法，其特征在于，所述鈍化層過孔包 括所述顯示區域中連接像素電極和薄膜晶體管漏極的過孔、以及所述外圍集成電路區域中 的轉接過孔。

3.根據權利要求2所述的全反射陣列基板的制備方法，其特征在于，所述步驟3包括：

步驟31、在沉積有金屬反射層薄膜和連接線層薄膜的承載基底上涂覆光刻膠；

步驟32、通過半曝光掩膜板進行曝光，所述轉接過孔的位置不曝光、所述像素電極的位 置半曝光、其余位置全曝光；

步驟33、在所述不曝光區域形成連接線，在所述半曝光區域形成兼具像素電極功能和 反射功能的金屬反射層，在所述全曝光區域依次刻蝕去除所述連接線層薄膜和所述金屬反 射層薄膜。

4.根據權利要求3所述的全反射陣列基板的制備方法，其特征在于，所述步驟33包括：

步驟331、在所述全曝光區域，依次刻蝕去除所述連接線層薄膜和所述金屬反射層薄 膜；

步驟332、進行光刻膠灰化工藝去除所述半曝光區域的光刻膠，并刻蝕去除所述連接線 層薄膜，形成兼具像素電極功能和反射功能的金屬反射層；

步驟333、將所述不曝光區域的光刻膠剝離，在所述不曝光區域形成連接線。

5.一種全反射陣列基板，包括承載基底，在所述承載基底上形成有空間垂直交叉的柵 線和數據線，所述柵線和數據線限定出像素區域，所述像素區域內設有薄膜晶體管和像素 電極，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述數據線連接、漏極與所述像素電 極連接，其特征在于，所述陣列基板包括顯示區域和外圍集成電路區域，在所述顯示區域中 所述像素電極由具有反射功能的金屬反射層構成，在所述外圍集成電路區域中設有轉接過 孔，連接所述轉接過孔的連接線由金屬反射層和連接線層構成。

6.根據權利要求5所述的全反射陣列基板，其特征在于，在所述外圍集成電路區域中， 所述金屬反射層和所述連接線層直接接觸。

7.根據權利要求5或6所述的全反射陣列基板，其特征在于，所述金屬反射層由金屬材 料制成，所述連接線層由氧化銦錫材料制成。

8.根據權利要求7所述的全反射陣列基板，其特征在于，所述金屬材料為Mo。

9.一種顯示器件，包括如權利要求5-8任一項所述的全反射陣列基板。