[發明專利]半導體器件的形成方法

有效

• 申請號: 201610364782.6
• 申請日: 2016-05-27
• 公開（公告）號: CN107437497B
• 公開（公告）日: 2019-11-01
• 發明（設計）人: 張城龍;張海洋;王彥
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供待刻蝕材料層；

在待刻蝕材料層上形成犧牲層；

在暴露出的待刻蝕材料層上形成補償層；

在所述犧牲層的側壁形成側墻,所述側墻位于補償層上；

形成補償層和側墻后，去除犧牲層；

去除犧牲層后，以側墻為掩膜刻蝕補償層和待刻蝕材料層。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述補償層的材料為硅、鍺或鍺化硅。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，形成所述側墻的步驟包括：

在所述待刻蝕材料層和補償層上、以及犧牲層的側壁和頂部表面上形成第一側墻材料層；

采用第二各向異性刻蝕工藝刻蝕所述第一側墻材料層直至暴露出補償層的表面，形成側墻。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，在形成犧牲層的過程中，對待刻蝕材料層的損耗尺寸為第一尺寸；在形成側墻的過程中，對補償層和待刻蝕材料層的損耗尺寸為第二尺寸。

5.根據權利要求4所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，犧牲層和側墻側部的補償層表面相對于犧牲層覆蓋的待刻蝕材料層的表面具有第一高度差，所述第一高度差小于第一尺寸與第二尺寸之和。

6.根據權利要求5所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述補償層的厚度等于第一尺寸與第二尺寸之和。

7.根據權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，形成所述犧牲層的步驟包括：

在所述待刻蝕材料層上形成犧牲材料層；

在犧牲材料層上形成第一掩膜層；

以所述第一掩膜層為掩膜，采用第一各向異性干法刻蝕工藝刻蝕犧牲材料層直至暴露出待刻蝕材料層表面，形成犧牲層。

8.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供待刻蝕材料層；

在待刻蝕材料層上形成犧牲層；

在所述犧牲層的側壁形成側墻；

形成犧牲層和側墻之后，在暴露出的待刻蝕材料層上形成補償層；

形成補償層和側墻后，去除犧牲層；

去除犧牲層后，以側墻為掩膜刻蝕補償層和待刻蝕材料層；

在形成犧牲層的過程中，對待刻蝕材料層的損耗尺寸為第一尺寸；在形成側墻的過程中，對待刻蝕材料層的損耗尺寸為第三尺寸。

9.根據權利要求8所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，形成所述側墻的步驟包括：

在所述待刻蝕材料層上、以及犧牲層的側壁和頂部表面上形成第二側墻材料層；

采用第四各向異性刻蝕工藝刻蝕所述第二側墻材料層直至暴露出待刻蝕材料層的表面，形成側墻。

10.根據權利要求8所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，補償層的表面相對于犧牲層覆蓋的待刻蝕材料層表面具有第二高度差，所述第二高度差小于第一尺寸與第三尺寸之和。

11.根據權利要求10所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述補償層的厚度等于第一尺寸與第三尺寸之和。