[發(fā)明專利]一種n型單晶硅的生長(zhǎng)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610364056.4 | 申請(qǐng)日： | 2016-05-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN105887194A | 公開（公告）日： | 2016-08-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張俊寶;劉浦鋒;宋洪偉;陳猛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海超硅半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C30B29/06 | 分類號(hào)： | C30B29/06;C30B15/20 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201604 上*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 單晶硅 生長(zhǎng) 方法 | ||
【說明書】：
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