[發明專利]一種基于多晶面Ir?Pd納米粒子體系摻雜的TiO2薄膜紫外探測器及其制備方法有效
申請號: | 201610363130.0 | 申請日: | 2016-05-27 |
公開(公告)號: | CN106024966B | 公開(公告)日: | 2017-06-20 |
發明(設計)人: | 阮圣平;徐睿良;郭文濱;沈亮;董瑋;溫善鵬;周敬然;劉彩霞;陳川;孫亮 | 申請(專利權)人: | 吉林大學 |
主分類號: | H01L31/101 | 分類號: | H01L31/101;H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/18 |
代理公司: | 長春吉大專利代理有限責任公司22201 | 代理人: | 劉世純,王恩遠 |
地址: | 130012 吉*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 一種 基于 多晶 ir pd 納米 粒子 體系 摻雜 tio sub 薄膜 紫外 探測器 及其 | ||
1.一種基于多晶面Ir-Pd納米粒子體系摻雜的TiO2薄膜紫外探測器,其特征在于:按紫外光線入射方向,從下至上依次為:石英片襯底、多晶面Ir-Pd納米粒子體系摻雜的TiO2薄膜、通過磁控濺射方法制備的Au叉指電極;多晶面Ir-Pd納米粒子體系摻雜的TiO2薄膜的厚度為80~110nm;在該薄膜中,Ti與Ir的摩爾比為1:0.0005~0.002,Ti與Pd的摩爾比為1:0.0005~0.002,且Ir-Pd納米粒子體系中的Ir納米粒子和Pd納米粒子均為多晶面結構;且該探測器由如下步驟所述方法制備得到,
(1)多晶面Ir-Pd納米粒子體系摻雜的TiO2薄膜的制備
將多晶面Ir納米粒子和多晶面Pd納米粒子,按Ti與Ir的摩爾比為1:0.0005~0.002,Ti與Pd的摩爾比為1:0.0005~0.002的比例摻入TiO2溶膠中,常溫下攪拌3~6小時,然后靜置6~12小時;將靜置后的含Ir-Pd納米粒子體系的TiO2溶膠涂在清潔處理后的石英片襯底上,用旋涂的方法使其形成溶膠薄膜,旋涂的轉速為1500~3000轉/分鐘,旋涂的時間為20~30秒;完成后再在80~120℃條件下烘干10~15分鐘,取出襯底并冷卻后,重復旋涂和烘干步驟4~6次,以達到所需要的薄膜厚度;最后將薄膜連同石英片襯底在80~100℃條件下烘干10~15分鐘,自然降溫冷卻后,最終在石英片襯底上得到多晶面Ir-Pd納米粒子體系摻雜的TiO2薄膜;
(2)基于多晶面Ir-Pd納米粒子體系摻雜的TiO2薄膜的紫外探測器的制備
首先采用旋涂、光刻、顯影技術在多晶面Ir-Pd納米粒子體系摻雜的TiO2薄膜表面形成具有鏤空叉指狀窗口的光刻膠薄膜,然后采用磁控濺射技術制備金屬電極,最后清潔薄膜表面,從而完成器件的制備。
2.如權利要求1所述的一種基于多晶面Ir-Pd納米粒子體系摻雜的TiO2薄膜紫外探測器,其特征在于:石英片襯底厚度為0.5~1.5mm,Au叉指電極的厚度為100~150nm,Au叉指電極的指長度、指間距、指寬度分別為0.8~1.2mm、5~30μm、5~30μm。
3.如權利要求1所述的一種基于多晶面Ir-Pd納米粒子體系摻雜的TiO2薄膜紫外探測器,其特征在于:襯底的清潔處理是將石英片襯底依次置于丙酮、乙醇和去離子水中超聲清洗10~15分鐘,然后氮氣吹干。
4.如權利要求1所述的一種基于多晶面Ir-Pd納米粒子體系摻雜的TiO2薄膜紫外探測器,其特征在于:是在氮氣保護下,將0.25~0.35mmol三氯化銥和1~3mmol醋酸鈉加入到70~80mL丙二醇中,于150~180℃的油浴條件下劇烈攪拌回流1~2小時;冷卻后,向混合溶液中加入40~60mL甲苯及40~60mL、0.5~1.5mmol/L的PVP(聚乙烯吡咯烷酮)溶液作為反應的表面活性劑,在60~100℃水浴、100~150W超聲條件下攪拌0.5~1.5小時;水浴超聲攪拌結束后收集甲苯層,加壓旋干;產物依次用甲醇、去離子水離心清洗3~5次,干燥后得到多晶面的Ir納米粒子。
5.如權利要求1所述的一種基于多晶面Ir-Pd納米粒子體系摻雜的TiO2薄膜紫外探測器,其特征在于:是在氮氣的保護下,將20~30mL、0.8~1.2mmol/L的PdCl2溶液加入到40~60mL、0.5~1.5mmol/L的作為反應的表面活性劑的PVP溶液中,常溫下攪拌30~50min后,再向混合溶液中快速注射5~15mL、10~20mmol/L的NaBH4溶液,注射時間控制在5s以內;在80~90℃水浴條件下繼續攪拌1~3h后,得到含有Pd納米粒子的溶液;最后依次用氯仿、乙醇溶液循環離心清洗2~4次,干燥后得到多晶面的Pd納米粒子。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的