[發明專利]半導體激光器及其制作方法

有效

• 申請號: 201610363086.3
• 申請日: 2016-05-26
• 公開（公告）號: CN106785912B
• 公開（公告）日: 2020-04-10
• 發明（設計）人: 程洋;劉建平;田愛琴;馮美鑫;張峰;張書明;李德堯;張立群;楊輝
• 申請（專利權）人: 杭州增益光電科技有限公司
• 主分類號: H01S5/30
• 分類號: H01S5/30;H01S5/34
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰

1.一種半導體激光器，包括襯底以及在所述襯底上依次疊層設置的下限制層、下波導層、量子阱有源區、上波導層以及上限制層；其特征在于，所述半導體激光器還包括夾設于所述下波導層與所述量子阱有源區之間的空穴阻擋層。

2.根據權利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，還包括夾設于所述空穴阻擋層與所述量子阱有源區之間的量子壘層。

3.根據權利要求2所述的半導體激光器，其特征在于，還包括電子阻擋層；其中，所述電子阻擋層夾設于所述量子阱有源區與所述上波導層之間或所述上波導層與所述上限制層之間。

4.根據權利要求1至3任一項所述的半導體激光器，其特征在于，所述空穴阻擋層的材料為經非故意摻雜或經N型摻雜的N型氮化鎵、N型氮化銦鎵、N型氮化鋁鎵中的任意一種。

5.根據權利要求4所述的半導體激光器，其特征在于，當所述空穴阻擋層的材料為經N型摻雜的N型氮化鎵、N型氮化銦鎵、N型氮化鋁鎵中的任意一種時，摻雜濃度為1×10¹⁷cm^-3～1×10²⁰cm^-3，施主雜質選自硅、鍺中的至少一種。

6.根據權利要求5所述的半導體激光器，其特征在于，所述施主雜質的摻雜方式選自均勻摻雜或漸變摻雜中的任意一種；其中，所述漸變摻雜包括線性變化摻雜、臺階狀變化摻雜。

7.根據權利要求1至3任一項所述的半導體激光器，其特征在于，所述上限制層的形狀呈平面狀或脊型。

8.根據權利要求1至3任一項所述的半導體激光器，其特征在于，所述量子阱有源區包括n個量子阱結構，1≤n≤12；其中，所述量子阱結構包括按照遠離所述襯底的方向疊層設置的一量子阱單層和一量子壘單層。

9.根據權利要求1至3任一項所述的半導體激光器，其特征在于，所述半導體激光器還包括夾設于所述襯底與所述下限制層之間的N型氮化鎵材料層。

10.一種如權利要求1至9任一項所述的半導體激光器的制作方法，其特征在于，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次疊層制備下限制層、下波導層、空穴阻擋層、量子阱有源區、上波導層以及上限制層。