[發明專利]一種低壓差線性穩壓器的過流保護電路

有效

• 申請號: 201610362624.7
• 申請日: 2016-05-26
• 公開（公告）號: CN106020317B
• 公開（公告）日: 2017-09-29
• 發明（設計）人: 尚林林;陳家隆;陽云霄;趙鵬;蘭云鵬;裴國旭
• 申請（專利權）人: 深圳市國微電子有限公司
• 主分類號: G05F1/565
• 分類號: G05F1/565
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司44205
• 代理人: 唐致明

1.一種低壓差線性穩壓器的過流保護電路，與低壓差線性穩壓器相連接并對其進行過流保護，所述的低壓差線性穩壓器包括電壓輸入端、源極與電壓輸入端相連接的功率管、與功率管的柵極相連接的驅動電壓端、與功率管的漏極相連接的電壓輸出端，其特征在于，

所述低壓差線性穩壓器的過流保護電路包括柵極與功率管的柵極、漏極與功率管的漏極分別相連接的采樣管,以將采樣電流輸出芯片外，降低芯片的靜態功耗，第一輸入端與電壓輸入端相連接、第二輸入端與采樣管的源極相連接的電流比較電路，輸入端與電流比較電路的輸出端相連接的過流保護執行電路，過流保護執行電路的輸出端與驅動電壓端相連接。

2.根據權利要求1所述的一種低壓差線性穩壓器的過流保護電路，其特征在于，所述電流比較電路包括第一電阻、第二電阻、第一PNP管、第二PNP管、為所述第一PNP管和第二PNP管提供1:1的偏置電流的偏置電流電路，所述第一電阻的上端與第二電阻的上端相連接，所述第二電阻的上端作為電流比較電路的第一輸入端，所述第一電阻的下端作為電流比較電路的第二輸入端，所述第一電阻的下端與第一PNP管的發射極相連接，所述第一PNP管的基極與第二PNP管的基極相連接，所述第一PNP管的基極與集電極相連接，所述第二PNP管的發射極與第二電阻的下端連接，所述第二PNP管的集電極作為電流比較電路的輸出端，所述偏置電流電路的第一輸出端與第一PNP管的集電極連接，所述偏置電流電路的第二輸出端與第二PNP管的集電極連接。

3.根據權利要求2所述的一種低壓差線性穩壓器的過流保護電路，其特征在于，所述過流保護執行電路包括第一偏置電流端、柵極與第二PNP管的集電極相連接的第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、發射極與驅動電壓端相連接的第一NPN管，所述第一NMOS管的漏極與第一偏置電流端相連接，所述第一NMOS管的源極與第二NMOS管的源極相連接，所述第二NMOS管的柵極與第一NMOS管的漏極相連接，所述第二NMOS管的柵極與第一PMOS管的柵極相連接，所述第二NMOS管的漏極與第一PMOS管的漏極相連接，所述第二NMOS管的漏極與第一NPN管的基極相連接，所述第一NPN管的集電極與第一PMOS管的源極相連接，所述第一PMOS管的源極與電壓輸入端相連接。

4.根據權利要求3所述的一種低壓差線性穩壓器的過流保護電路，其特征在于，所述偏置電流電路包括第二偏置電流端、偏置電壓端、漏極與第二偏置電流端相連接的第三NMOS管、第四NMOS管、漏極與第一PNP管的集電極相連接的第五NMOS管、第六NMOS管、漏極與第二PNP管的集電極相連接的第七NMOS管、源極與第一NMOS管的源極相連接的第八NMOS管，所述第三NMOS管的源極與第四NMOS管的漏極相連接，所述第四NMOS管的柵極與第二偏置電流端相連接，所述第三NMOS管的柵極與偏置電壓端相連接，所述第三NMOS管的柵極與第五NMOS管的柵極相連接，所述第五NMOS管的源極與第六NMOS管的漏極相連接，所述第六NMOS管的柵極與第四NMOS管的柵極相連接，所述第六NMOS管的柵極與第八NMOS管的柵極相連接，所述第八NMOS管的漏極與第七NMOS管的源極相連接，所述第七NMOS管的柵極與第五NMOS管的柵極相連接，所述第四NMOS管、第六NMOS管、第八NMOS管的源極接地。

5.根據權利要求1至4任一項所述的一種低壓差線性穩壓器的過流保護電路，其特征在于，所述功率管和采樣管為寬長比成比例的PMOS管。