[發明專利]一種LED晶圓的紫外激光表面切割方法有效
申請號: | 201610362405.9 | 申請日: | 2016-05-26 |
公開(公告)號: | CN107437532B | 公開(公告)日: | 2020-04-24 |
發明(設計)人: | 王焱華;何俊;莊昌輝;李福海;張紅江;曾威;朱煒;尹建剛;高云峰 | 申請(專利權)人: | 大族激光科技產業集團股份有限公司 |
主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78;B28D5/00;B23K26/364;B23K26/60;B23K26/16 |
代理公司: | 深圳市世聯合知識產權代理有限公司 44385 | 代理人: | 汪琳琳 |
地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 一種 led 紫外 激光 表面 切割 方法 | ||
1.一種LED晶圓的紫外激光表面切割方法,其特征在于:該切割方法具體包括如下:
步驟S1:將晶圓片(9)平放在載臺(10)上;
步驟S2:儲存膠水的容器(13)移至晶圓片(9)上方,并噴出膠水滴(14)到晶圓片(9)上;
步驟S3:啟動載臺(10)使其高速旋轉,甩干晶圓片(9)上的膠水并使膠水平鋪在晶圓片(9)的表面;
步驟S4:采用多光點激光裝置發出激光光束,并在晶圓片(9)的激光入射面形成多光點聚焦,激光切割晶圓片(9);
步驟S5:清洗晶圓片(9)上的膠水,通過噴水裝置(15)噴水到晶圓片(9)的激光入射面,同時旋轉載臺(10)以去除晶圓片(9)上的膠水;
步驟S6:加工完成,晶圓片(9)分離形成芯粒(16)。
2.根據權利要求1所述的LED晶圓的紫外激光表面切割方法,其特征在于:所述多光點激光裝置包括激光器(1)、光閘(2)、第一45度反射鏡(3)、第二45度反射鏡(4)、擴束鏡(5)、第三45度反射鏡(6)、衍射光學元器件(7)和聚焦鏡(8);
所述激光器(1)發射出激光光束,所述激光光束經過光閘(2)后,通過第一45度反射鏡(3)和第二45度反射鏡(4)進行反射后,經過擴束鏡(5)改變發散角度,之后經過第三45度反射鏡(6)也進行反射后,進入衍射光學元器件(7)分束成多光束,多光束通過聚焦鏡(8)并在晶圓片(9)的表面形成多光點聚焦,從而切割晶圓片(9)。
3.根據權利要求2所述的LED晶圓的紫外激光表面切割方法,其特征在于:所述激光器(1)為紫外激光器,激光器(1)的波長是355nm,為脈沖激光,激光光束的偏振態為線偏振,偏振比大于50:1,脈沖寬度范圍是0.1~100ns,激光的頻率范圍是50-500kHz,單點能量范圍是1-200μJ,加工LED晶圓的速度能夠到達200-450mm/s。
4.根據權利要求2或3所述的LED晶圓的紫外激光表面切割方法,其特征在于:所述晶圓片(9)平放在載臺(10)上,第三45度反射鏡(6)、衍射光學元器件(7)和聚焦鏡(8)依次由上至下同軸位于晶圓片(9)的上方;第二45度反射鏡(4)和擴束鏡(5)沿水平方向同軸位于第三45度反射鏡(6)的一側,激光器(1)、光閘(2)和第一45度反射鏡(3)也沿水平方向由左至右依次設置,第一45度反射鏡(3)同軸位于第二45度反射鏡(4)的上方。
5.根據權利要求1所述的LED晶圓的紫外激光表面切割方法,其特征在于:所述晶圓片(9)的激光入射面為其發光區或背面的硅襯底。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造