[發明專利]一種光伏裝置以及一種產生光伏效應的方法

有效

• 申請號: 201610357622.9
• 申請日: 2016-05-26
• 公開（公告）號: CN107437568B
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發明（設計）人: 郭麗偉;楊軍偉;陳小龍
• 申請（專利權）人: 中國科學院物理研究所
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0256;H01L31/028
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇

1.一種光伏裝置，包括光源和光伏器件，所述光伏器件包括高阻光增益半導體襯底，位于所述高阻光增益半導體襯底上的石墨烯層，位于所述高阻光增益半導體襯底和所述石墨烯層上的第一電極和第二電極，以及位于所述高阻光增益半導體襯底之下并且與所述高阻光增益半導體襯底接觸的第三電極，其中，所述第一電極的一部分與所述高阻光增益半導體襯底接觸，另一部分與所述石墨烯層接觸，所述第二電極的一部分與所述高阻光增益半導體襯底接觸，另一部分與所述石墨烯層接觸，所述光源發射的光的能量大于所述高阻光增益半導體襯底的帶隙并且輻照所述第一電極，所述第三電極在所述第一電極的下方。

2.根據權利要求1所述的光伏裝置，還包括布置在所述高阻光增益半導體襯底之下的絕緣介質層，所述第三電極位于所述絕緣介質層之下并與所述絕緣介質層接觸。

3.根據權利要求1或2所述的光伏裝置，其中，所述第三電極在所述第一電極的正下方。

4.根據權利要求1或2所述的光伏裝置，其中，所述高阻光增益半導體襯底為高阻有機半導體或高阻無機半導體。

5.根據權利要求1或2所述的光伏裝置，其中，所述光源為紫外光源，所述高阻光增益半導體襯底為SiC；或者所述光源為可見光源，所述高阻光增益半導體襯底為GaP或GaAs。

6.根據前述權利要求1或2所述的光伏裝置，其中，所述高阻光增益半導體襯底的厚度大于50nm。

7.根據權利要求2所述的光伏裝置，其中，所述絕緣介質層為AlO₂、SiO₂或HfO₂。

8.根據權利要求1或2所述的光伏裝置，其中，所述第一電極、所述第二電極和所述第三電極為金屬電極。

9.根據權利要求1或2所述的光伏裝置，還包括第二電極之上的不透光涂覆層。

10.一種采用權利要求1-9中任一項所述的光伏裝置產生光伏效應的方法。