[發明專利]一種半導體器件及其制造方法、電子裝置

有效

• 申請號: 201610357336.2
• 申請日: 2016-05-26
• 公開（公告）號: CN107437582B
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 周耀輝;伏廣才
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有層間介質層，在所述層間介質層中形成有通孔；

形成完全填充所述通孔的底部電極材料層；

沉積相變材料層，覆蓋所述底部電極材料層，并對所述相變材料層進行超快速熱處理，使所述相變材料層達到應力穩定狀態，所述超快速熱處理的溫度不低于220℃，持續時間為3秒-5秒；以及

在所述相變材料層上形成硬掩膜疊層結構后，圖形化所述相變材料層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉積為室溫下實施的物理氣相沉積。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，實施所述超快速熱處理后，還包括實施濕法清洗的步驟，以去除附著于所述相變材料層表面的雜質。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜疊層結構為自下而上層疊的氮化鈦層和氮化硅層，所述氮化硅層的厚度為200埃-300埃，以提供壓應力用于增強所述相變材料層的應力狀態的穩定性。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，圖形化所述相變材料層之前，還包括在所述硬掩膜疊層結構上依次形成先進圖案化層、覆蓋層和光刻膠層的步驟。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，采用旋涂工藝形成所述先進圖案化層，溫度為20℃-300℃。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，采用旋涂工藝形成所述覆蓋層，溫度為20℃-250℃。

8.一種采用權利要求1-7之一所述的方法制造的半導體器件，所述半導體器件為相變存儲器。

9.一種電子裝置，所述電子裝置包括權利要求8所述的半導體器件。