[發(fā)明專利]加熱腔室及半導體加工設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610357175.7
• 申請日: 2016-05-26
• 公開（公告）號: CN107437515B
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發(fā)明（設計）人: 邊國棟
• 申請（專利權）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

1.一種加熱腔室，在所述加熱腔室內設置有介質窗，用以將所述加熱腔室分隔形成上子腔室和下子腔室，其中，在所述下子腔室內設置有承載部件，所述承載部件包括用于承載基片的承載面，在所述上子腔室內設置有多個加熱燈，用于透過所述介質窗朝向所述承載面輻射熱量，其特征在于，各個所述加熱燈與所述承載面之間的豎直間距不同，以使輻射至置于所述承載面上的基片不同區(qū)域的熱量趨于一致；其中，

在所述上子腔室的徑向橫截面上，多個所述加熱燈的投影分布在至少兩個不同半徑的第一圓上，所述第一圓以所述徑向橫截面的中心為圓心；并且，

不同所述第一圓上的加熱燈與所述承載面之間的豎直間距不同，而同一所述第一圓上的加熱燈與所述承載面之間的豎直間距相同；

在所述上子腔室的軸向橫截面上，不同所述第一圓上的加熱燈的投影分布在同一第二圓上；

所述加熱燈所在所述第一圓的半徑越大，該加熱燈與所述承載面之間的豎直間距越小；

其中一個所述加熱燈位于所述徑向橫截面的中心；

所述第二圓的半徑采用如下公式獲得：

D²＝(2R-H)×H；

其中，D為所述上子腔室的內壁半徑；R為所述第二圓的半徑；H為半徑最大的所述第一圓上的加熱燈與位于所述徑向橫截面的中心的加熱燈之間的高度差。

2.根據權利要求1所述的加熱腔室，其特征在于，半徑最大的所述第一圓上的加熱燈與位于所述徑向橫截面的中心的加熱燈之間的高度差的取值范圍在50～80mm。

3.根據權利要求1所述的加熱腔室，其特征在于，所述上子腔室的內壁半徑為160mm；在所述上子腔室的徑向橫截面上，多個所述加熱燈的投影分布在兩個半徑分別為80mm和160mm的第一圓上；在半徑為80mm的第一圓上均勻分布有4個所述加熱燈；在半徑為160mm的第一圓上均勻分布有8個所述加熱燈。

4.根據權利要求1所述的加熱腔室，其特征在于，同一所述第一圓上的加熱燈在該第一圓上均勻分布。

5.根據權利要求1-4任一項所述的加熱腔室，其特征在于，在所述上子腔室內還設置有安裝板，所述安裝板包括與所述承載面相對的安裝曲面，多個所述加熱燈與所述安裝板固定連接，且分布在所述安裝曲面上；并且，

所述安裝曲面安裝各個所述加熱燈的位置與所述承載面之間的豎直間距不同，以使輻射至置于所述承載面上的基片不同區(qū)域的熱量趨于一致。

6.根據權利要求1-4任一項所述的加熱腔室，其特征在于，所述加熱腔室還包括調控器，所述調控器用于同時調節(jié)所有的所述加熱燈的加熱功率。

7.一種半導體加工設備，其特征在于，包括權利要求1-6任意一項所述的加熱腔室。