[發明專利]提高空穴注入的發光二極管外延生長方法有效
| 申請號： | 201610355656.4 | 申請日： | 2016-05-26 |
| 公開（公告）號： | CN105870269B | 公開（公告）日： | 2018-08-28 |
| 發明（設計）人： | 林傳強 | 申請（專利權）人： | 湘能華磊光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京晟睿智杰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人： | 于淼 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 提高 空穴 注入 發光二極管 外延 生長 方法 | ||
【說明書】：
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