[發明專利]一種設備上物料的傳輸方法、裝置和物料的傳輸設備

有效

• 申請號: 201610355410.7
• 申請日: 2016-05-25
• 公開（公告）號: CN107434146B
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 崔琳
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: B65G43/00
• 分類號: B65G43/00
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 趙娟

本發明實施例提供了一種設備上物料的傳輸方法和裝置，其中，所述的方法包括：確定設備上物料傳輸的起始節點和終止節點；判斷所述起始節點和終止節點之間是否存在必經節點；若是，則依據所述必經節點，起始節點和終止節點計算傳輸路徑；若否，則采用所述起始節點和所述終止節點計算傳輸路徑；采用所述傳輸路徑在所述設備上進行物料的傳輸。本發明實施例，在實際中只需要事先進行配置，指定必經節點，當需要進行手動傳片時，設備的系統將自動根據必經節點分段計算傳輸路徑，通過一次操作就可完成傳輸，減少了操作復雜度，并且降低了人為風險。

技術領域

本發明涉及工業處理技術領域，特別是涉及一種設備上物料的傳輸方法，一種設備上物料的傳輸裝置以及一種物料的傳輸設備。

背景技術

CVD(化學氣相沉積，Chemical Vapor Deposition)技術是用來制備高純、高性能固體薄膜的主要技術。在典型的CVD工藝過程中，一種或多種蒸汽源原子或分子混合于腔室中，在外部能量作用下(如加熱、光照、等離子體等)發生化學反應并在晶圓表面形成需要的固體薄膜。通常，CVD工藝過程中還會產生很多副產物，這些副產物會被氣流帶走離開腔室。由于CVD技術具有生長速率快、成膜范圍廣、重現性好、可實現外延生長等優點，被廣泛用于多種不同形態的成膜，如化合物薄膜、單晶薄膜、多晶薄膜和非晶薄膜，并成為微電子領域、光電子領域和功能涂層等的關鍵技術。

目前，在芯片制造過程中，大部分所需的薄膜材料，不論是導體、半導體，或是介電材料，都可以用CVD技術來制備，很多公司致力于為半導體照明、光伏和功率器件領域提供各種類型的CVD設備，比如APCVD(Atmospheric-Pressure Chemical Vapor Deposition，常壓化學汽相淀積)設備，以滿足客戶多種制造工藝需求。

然而，目前的APCVD設備采用算法來計算制作芯片的物料的傳輸路徑時，往往只考慮到了傳輸物料時的起點節點和終止節點，而不考慮設備上的其他節點，但是在實際應用中，為了物料在每個節點的準確性，通常必須要經過設備上的某個必經節點，而目前的傳輸路徑計算并沒有考慮到這一點，故而不能滿足需求，

發明內容

鑒于上述問題，提出了本發明實施例以便提供一種克服上述問題或者至少部分地解決上述問題的一種設備上物料的傳輸方法，一種設備上物料的傳輸裝置以及一種物料的傳輸設備。

為了解決上述問題，一方面，本發明實施例公開了一種設備上物料的傳輸方法，包括：

確定設備上物料傳輸的起始節點和終止節點；

判斷所述起始節點和終止節點之間是否存在必經節點；

若是，則依據所述必經節點，起始節點和終止節點計算傳輸路徑；

若否，則采用所述起始節點和所述終止節點計算傳輸路徑；

采用所述傳輸路徑在所述設備上進行物料的傳輸。

優選地，在所述設備上已配置有必經節點的信息，在所述依據必經節點，起始節點和終止節點計算傳輸路徑的步驟之前，還包括：

在所述設備上接收用戶輸入必經節點；

和/或，

在所述設備上獲取已配置的必經節點。

優選地，所述必經節點為一個，所述依據必經節點，起始節點和終止節點計算傳輸路徑的步驟包括：

采用所述必經節點和起始節點計算第一傳輸路徑；

采用所述必經節點和終止節點計算第二傳輸路徑；

將所述第一傳輸路徑和所述第二傳輸路徑組合為第一最終傳輸路徑。

優選地，所述必經節點為多個，所述依據必經節點，起始節點和終止節點計算傳輸路徑的步驟包括：