[發明專利]外延生長設備

在審

• 申請號: 201610353583.5
• 申請日: 2016-05-25
• 公開（公告）號: CN107435164A
• 公開（公告）日: 2017-12-05
• 發明（設計）人: 劉源;保羅·邦凡蒂
• 申請（專利權）人: 上海新昇半導體科技有限公司
• 主分類號: C30B25/08
• 分類號: C30B25/08;C30B25/10;C30B25/12
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 金華

1.一種外延生長設備，其特征在于，所述外延生長設備包括一反應室，所述反應室的內表面設有反射層，所述反射層上設有保護層。

2.如權利要求1所述的外延生長設備，其特征在于，所述外延生長設備還包括：

反應腔，所述反應腔設置在所述反應室內；

加熱源，所述加熱源設置在所述反應室內并位于所述反應腔外；

支撐平臺，所述支撐平臺設置在所述反應腔內，所述支撐平臺用于支撐晶圓。

3.如權利要求1所述的外延生長設備，其特征在于，所述反射層的材料為金。

4.如權利要求1所述的外延生長設備，其特征在于，所述保護層的材料為氮化鋁。

5.如權利要求1所述的外延生長設備，其特征在于，所述氮化鋁的厚度為800nm～1500nm。

6.如權利要求1所述的外延生長設備，其特征在于，所述氮化鋁通過物理氣相沉積形成在所述反射層上。

7.如權利要求6所述的外延生長設備，其特征在于，所述物理氣相沉積為濺射鍍膜方式。

8.如權利要求7所述的外延生長設備，其特征在于，所述濺射鍍膜方式采用鋁作為靶材，采用氮氣和氬氣作為反應氣體。

9.如權利要求1～8中任意一項所述的外延生長設備，其特征在于，所述反應腔的材料為石英。

10.如權利要求1～8中任意一項所述的外延生長設備，其特征在于，所述反應腔設置在所述反應室內的中心位置。

11.如權利要求1～8中任意一項所述的外延生長設備，其特征在于，所述加熱源為鹵素燈。

12.如權利要求1～8中任意一項所述的外延生長設備，其特征在于，所述加熱源均勻分布在所述反應腔外。

13.如權利要求1～8中任意一項所述的外延生長設備，其特征在于，所述支撐平臺的材料為石墨。

14.如權利要求13所述的外延生長設備，其特征在于，所述支撐平臺上形成有一層氮化硅。

15.如權利要求13所述的外延生長設備，其特征在于，所述支撐平臺的中間設有一圓形槽。

16.如權利要求1～8中任意一項所述的外延生長設備，其特征在于，所述支撐平臺為可旋轉的支撐平臺。

17.如權利要求1～8中任意一項所述的外延生長設備，其特征在于，所述反應室的材料為不銹鋼。

18.如權利要求1～8中任意一項所述的外延生長設備，其特征在于，所述反應室的外表面設有冷卻裝置。