[發明專利]掩膜板光罩、掩膜板光罩制作方法及掩膜板制作方法在審
| 申請號: | 201610353518.2 | 申請日: | 2016-05-25 |
| 公開(公告)號: | CN105785711A | 公開(公告)日: | 2016-07-20 |
| 發明(設計)人: | 唐軍 | 申請(專利權)人: | 唐軍 |
| 主分類號: | G03F1/80 | 分類號: | G03F1/80 |
| 代理公司: | 廣州市南鋒專利事務所有限公司 44228 | 代理人: | 鄭學偉;葉利軍 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市坪山新區坪*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 掩膜板光罩 制作方法 掩膜板 | ||
技術領域
本發明涉及有機電致發光器件制造技術領域,特別涉及一種掩膜板光罩、 掩膜板光罩制作方法及掩膜板制作方法。
背景技術
有機電致發光二極管(OrganicLight-EmittingDiodes,OLED)是自發光 器件,不需要背光源,外觀輕、薄,而傳統的液晶顯示器(LCD)需要背光源 才能工作,外觀尺寸較厚。
有機發光二極管顯示器的功耗低,視角寬,屏幕響應快,是最能符合人 們未來對顯示器功能要求的技術。因此,有機發光二極管有望在不久的將來 取代液晶顯示器,具有很高的市場潛力。
有機小分子發光二極管在制作過程中,目前較成熟的技術是采用真空蒸 鍍技術,在器件制備過程中,有機材料會淀積在位于蒸發源上方的基板上, 為形成特有的圖案,在基板下方緊貼有掩膜板,掩膜板上留有預先設計排版 好的蒸鍍孔,最終有機材料會通過掩膜板上的蒸鍍孔淀積到基板上面。
掩膜板一般為一塊金屬基板,在金屬基板上開設有蒸鍍孔,有一些掩膜 板還包括板框,將金屬基板覆蓋的板框上。現有技術中,在掩膜板的制作中, 一般采用光蝕刻工藝在金屬基板上鏤空形成蒸鍍孔。然而,現有技術中的掩 膜板制作方法制作形成的掩膜板,其蒸鍍孔的尺寸精度低,而且,生產加工 的掩膜板不良率高。
發明內容
本發明旨在至少在一定程度上解決相關技術中的技術問題之一。為此, 本發明的一個目的在于提出一種掩膜板光罩。
本發明的另一個目的在于提出一種掩膜板光罩制作方法。
本發明的又一個目的在于提出一種掩膜板制作方法。
為了實現上述目的,第一方面,本發明實施例的掩膜板光罩,適于采用 光蝕刻法在一金屬基板上蝕刻形成蒸鍍孔,包括:
透明基板,所述透明基板具有第一平面及與所述第一平面相背的第二平 面;
金屬膜片,所述金屬膜片平鋪于所述第一平面,且所述金屬膜片上形成 有多個鏤空孔,所述鏤空孔的尺寸與所述蒸鍍孔的預定尺寸相等。
根據本發明提供的掩膜板光罩,包括透鏡基板和金屬膜片,金屬膜片平 鋪于所述透明基板上,且金屬膜片上設有與蒸鍍孔相適配的鏤空孔,如此, 在利用該掩膜板光罩制作掩膜板時,直接將金屬基板與金屬膜片或透明基板 貼合,再利用光蝕刻工藝即可蝕刻出蒸鍍孔。由于金屬膜片和透鏡基板具有 較高的硬度和平面度,因此,能夠與金屬基板完全貼合,進而確保蝕刻形成 的蒸鍍孔尺寸和形狀的精度更高,此外,操作簡單,工藝過程更加簡單,效 率更高,形成的掩膜板產品的良率更高。
根據本發明的一個實施例,所述透明基板為玻璃板。
根據本發明的一個實施例,所述鏤空孔為多個,多個所述鏤空孔矩陣分 布。
第二方面,本發明實施例的掩膜板光罩的制作方法,所述掩膜板光罩適 于采用光蝕刻法在一金屬基板上蝕刻形成蒸鍍孔,包括:
提供一透明基板及一金屬膜片,透明基板具有第一平面及與所述第一平 面相背的第二平面;
在所述金屬膜片的上加工形成鏤空孔,所述鏤空孔具有加工余量;
將形成有鏤空孔的所述金屬膜片平鋪于所述透鏡基板的第一平面;
對所述金屬膜片上的所述鏤空孔進行精加工,使得所述鏤空孔的尺寸達 到所述蒸鍍孔的預定尺寸。
根據本發明提供的掩膜板光罩制作方法,可制作形成掩膜板光罩,該光 罩包括透鏡基板和金屬膜片,金屬膜片平鋪于所述透明基板上,且金屬膜片 上設有與蒸鍍孔相適配的鏤空孔,如此,在利用該掩膜板光罩制作掩膜板時, 直接將金屬基板與金屬膜片或透明基板貼合,再利用光蝕刻工藝即可蝕刻出 蒸鍍孔。由于金屬膜片和透鏡基板具有較高的硬度和平面度,因此,能夠與 金屬基板完全貼合,進而確保蝕刻形成的蒸鍍孔尺寸和形狀的精度更高,同 時,操作簡單,工藝過程更加簡單,效率更高,形成的掩膜板產品的良率更 高。此外,該方法制作的掩膜板光罩上,鏤空孔的尺寸精度高,進而使得利 用該掩膜板光罩制作形成掩膜板,其蒸鍍孔的尺寸精度更高。
根據本發明的一個實施例,在所述金屬膜片的上加工形成鏤空孔具體為:
采用蝕刻工藝在所述金屬膜片的上進行蝕刻加工以形成所述鏤空孔。
根據本發明的一個實施例,對所述金屬膜片上的鏤空孔進行精加工具體 為:
采用激光加工工藝對所述金屬膜片上的鏤空孔進行精加工。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





