[發(fā)明專利]雙面電池的摻雜方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610352910.5
• 申請日: 2016-05-24
• 公開（公告）號: CN107425093A
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何川;金光耀;王懿喆;洪俊華;陳炯
• 申請（專利權(quán)）人: 上海凱世通半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/068
• 代理公司: 上海弼興律師事務(wù)所31283
• 代理人: 薛琦,王聰

1.一種雙面電池的摻雜方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：對硅襯底雙面制絨，該硅襯底具有第一表面以及與該第一表面相對的第二表面；

S2：通過背靠背擴(kuò)散的方式對該硅襯底的第一表面進(jìn)行磷擴(kuò)散以在第一表面?zhèn)鹊墓枰r底中形成磷摻雜層，其中磷擴(kuò)散溫度在750℃-900℃，磷擴(kuò)散后第一表面的表面濃度為2E20-1E21/cm³；

S3：采用酸性試劑去除第二表面?zhèn)鹊?0-500nm的硅層以去除磷擴(kuò)散過程中進(jìn)入第二表面中的磷，并且保持第二表面的絨面；

S4：通過背靠背擴(kuò)散的方式對該硅襯底的第二表面進(jìn)行硼擴(kuò)散以在第二表面?zhèn)鹊墓枰r底中形成硼摻雜層，其中硼擴(kuò)散溫度在850℃-1000℃；

S5：對硅襯底進(jìn)行等離子體邊緣刻蝕。

2.如權(quán)利要求1所述的摻雜方法，其特征在于，步驟S5中還包括：采用回蝕試劑去除硼擴(kuò)散過程中進(jìn)入第一表面的硼，并且保持第一表面的絨面。

3.如權(quán)利要求2所述的摻雜方法，其特征在于，該回蝕試劑用于去除1nm-50nm的第一表面?zhèn)鹊墓鑼印?/p>

4.如權(quán)利要求2所述的摻雜方法，其特征在于，該回蝕試劑選自：氫氟酸和雙氧水的混合物、氫氟酸和硝酸的混合物、氫氧化鉀、TMAH或氫氧化銨和雙氧水的混合物中的一種或多種。

5.如權(quán)利要求4所述的摻雜方法，其特征在于，該回蝕試劑為NH₄OH和H₂O₂的混合物，其中NH₄OH：H₂O₂＝1：1-5：1，該回蝕試劑的作用溫度為70-80攝氏度，反應(yīng)時(shí)間5-30分鐘。

6.如權(quán)利要求1所述的摻雜方法，其特征在于，步驟S4中硼擴(kuò)散之前或者硼擴(kuò)散的同時(shí)包括以下步驟：在擴(kuò)散爐中通氧氣，流量為0.1-15SLM。

7.如權(quán)利要求6所述的摻雜方法，其特征在于，步驟S5之后包括以下步驟：去除擴(kuò)散過程中形成的硼硅玻璃和氧化層。

8.如權(quán)利要求1所述的摻雜方法，其特征在于，步驟S3中還包括：去除磷擴(kuò)散過程中形成于第一表面?zhèn)鹊牧坠璨ＡА?/p>

9.如權(quán)利要求1所述的摻雜方法，其特征在于，步驟S5中還包括：去除磷擴(kuò)散過程中形成于第一表面?zhèn)鹊牧坠璨ＡШ团饠U(kuò)散過程中形成于第二表面?zhèn)鹊呐鸸璨ＡА?/p>

10.如權(quán)利要求1-9中任意一項(xiàng)所述的摻雜方法，其特征在于，步驟S3中所述的酸性試劑為氫氟酸和雙氧水的混合物、氫氟酸和硝酸的混合物、氫氟酸和硫酸的混合物中的一種或多種。

11.如權(quán)利要求10所述的摻雜方法，其特征在于，該酸性試劑為氫氟酸、硝酸和水的混合物，其中氫氟酸：硝酸：水＝1:1:10，酸性試劑的作用時(shí)間為5-30分鐘。