[發明專利]一種磁流變流體動壓復合拋光裝置及其拋光方法

有效

• 申請號: 201610352311.3
• 申請日: 2016-05-24
• 公開（公告）號: CN105922125B
• 公開（公告）日: 2018-04-17
• 發明（設計）人: 路家斌;梁華卓;閻秋生;陳潤
• 申請（專利權）人: 廣東工業大學
• 主分類號: B24B37/10
• 分類號: B24B37/10;B24B37/30;B24B37/34;B24B31/10;C09G1/02
• 代理公司: 廣東廣信君達律師事務所44329
• 代理人: 楊曉松

1.一種磁流變流體動壓復合拋光裝置，其特征在于：包括拋光盤、第一轉軸、拋光液、第二轉軸、工件盤、磁性體和待拋光件，所述第一轉軸和第二轉軸相互平行，且所述第二轉軸向第一轉軸方向水平滑動，所述磁性體設于所述拋光盤的下方，所述拋光盤固定安裝于所述第一轉軸上，所述工件盤和待拋光件設于所述拋光盤的上方，所述工件盤固定安裝于所述第二轉軸上，所述待拋光件固定安裝于所述工件盤的下底面，且待拋光件的下底面與所述拋光盤的上表面相接觸；所述拋光盤的上表面沿圓周方向設有多個楔形結構，所述楔形結構包括銷軸和楔塊，所述銷軸固定安裝于所述拋光盤的上表面，所述楔塊可擺動安裝于所述銷軸上，所述拋光液覆蓋于所述拋光盤和楔塊的上表面上。

2.根據權利要求1所述的一種磁流變流體動壓復合拋光裝置，其特征在于：所述拋光盤的上方設有噴管，所述拋光液通過噴管流到所述拋光盤的上表面上。

3.根據權利要求1所述的一種磁流變流體動壓復合拋光裝置，其特征在于：所述待拋光件為半導體晶片。

4.根據權利要求1所述的一種磁流變流體動壓復合拋光裝置，其特征在于：所述拋光液由重量百分比15～40％且平均粒徑為1～50μm的羰基鐵粉、重量百分比為2～20％且平均粒徑為1～50μm的磨料、重量百分比為1～10的甘油或油酸穩定劑和重量百分比1～10％的防銹劑組成。

5.根據權利要求1所述的一種磁流變流體動壓復合拋光裝置，其特征在于：所述磁性體的端面磁場強度不小于2000Gs，所述磁性體設為多個，且磁極相互交錯排列設置。

6.根據權利要求1所述的一種磁流變流體動壓復合拋光裝置，其特征在于：所述楔塊與所述拋光盤之間的傾斜夾角為0～15度。

7.一種磁流變流體動壓復合拋光方法，其特征在于：包括以下步驟：

1)將拋光盤固定在第一轉軸上，并通過粘貼的方式將待拋光件固定到工件盤上，然后將工件盤安裝到第二轉軸上；

2)將待拋光件向下移動到距離楔塊的上傾斜端0.4～1.4mm的位置，啟動第一轉軸和第二轉軸旋轉，同時，第二轉軸帶動待拋光件向第一轉軸的徑向方向往復移動，并且不斷向拋光盤的上表面加入拋光液，直至拋光完成。

8.根據權利要求7所述的一種磁流變流體動壓復合拋光方法，其特征在于：所述步驟2)中，所述第一轉軸的轉速為每分鐘60～180轉，所述第二轉軸的轉速為每分鐘1000至3000轉，且第二轉軸向第一轉軸的方向水平移動速度為每分鐘5～20米。

9.根據權利要求7所述的一種磁流變流體動壓復合拋光方法，其特征在于：所述待拋光件為半導體晶片，所述拋光液由重量百分比15～40％且平均粒徑為1～50μm的羰基鐵粉、重量百分比為2～20％且平均粒徑為1～50μm的磨料、重量百分比為1～10的甘油或油酸穩定劑和重量百分比1～10％的防銹劑組成。

10.根據權利要求7所述的一種磁流變流體動壓復合拋光方法，其特征在于：所述拋光盤的下方設有磁性體，所述磁性體的端面磁場強度不小于2000Gs，所述磁性體設為多個，且磁極相互交錯排列設置。