[發明專利]一種半導體基片的流體動壓拋光裝置及其拋光方法

有效

• 申請號: 201610351953.1
• 申請日: 2016-05-24
• 公開（公告）號: CN105922124B
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發明（設計）人: 路家斌;梁華卓;閻秋生;陳潤
• 申請（專利權）人: 廣東工業大學
• 主分類號: B24B37/10
• 分類號: B24B37/10;B24B37/30;B24B37/34;B24B31/10;C09G1/02
• 代理公司: 廣東廣信君達律師事務所44329
• 代理人: 楊曉松

1.一種半導體基片的流體動壓拋光裝置，其特征在于：包括拋光盤、第一轉軸、拋光液、第二轉軸、工件盤和待拋光件，所述第一轉軸和第二轉軸相互平行，且所述第二轉軸向第一轉軸方向水平滑動，所述拋光盤固定安裝于所述第一轉軸上，所述工件盤和待拋光件設于所述拋光盤的上方，所述工件盤固定安裝于所述第二轉軸上，所述待拋光件固定安裝于所述工件盤的下底面，且待拋光件的下底面與所述拋光盤的上表面相接觸；所述拋光盤的上表面沿圓周方向設有多個楔形結構，所述拋光液覆蓋于所述拋光盤的上表面上；

所述拋光液由重量百分比15～40％且平均粒徑為1～50μm的羰基鐵粉、重量百分比為2～20％且平均粒徑為1～50μm的磨料、重量百分比為1～10的甘油或油酸穩定劑和重量百分比1～10％的防銹劑組成；所述拋光盤的下方設有磁性體。

2.根據權利要求1所述的一種半導體基片的流體動壓拋光裝置，其特征在于：所述拋光盤的上方設有噴管，所述拋光液通過噴管流到所述拋光盤的上表面上。

3.根據權利要求1所述的一種半導體基片的流體動壓拋光裝置，其特征在于：所述拋光液由重量百分比為2～20％且平均粒徑為1～50μm的磨料、重量百分比為1～10的甘油或油酸穩定劑和重量百分比1～10％的防銹劑組成。

4.根據權利要求1所述的一種半導體基片的流體動壓拋光裝置，其特征在于：所述磁性體的端面磁場強度不小于2000Gs，所述磁性體設為多個，且磁極相互交錯排列設置。

5.根據權利要求1至3任一所述的一種半導體基片的流體動壓拋光裝置，其特征在于：所述待拋光件粘貼到所述工件盤的下底面。

6.一種半導體基片的流體動壓拋光方法，其特征在于：包括以下步驟：

1)將拋光盤固定在第一轉軸上，并通過粘貼的方式將待拋光件固定到工件盤上，然后將工件盤安裝到第二轉軸上；

2)將待拋光件向下移動到與拋光盤上表面相接觸的位置，啟動第一轉軸和第二轉軸旋轉，同時，第二轉軸帶動待拋光件向第一轉軸的方向水平往復滑動，并且不斷向拋光盤的上表面加入拋光液，直至拋光完成；

3)拋光完成后，停止向拋光盤的上表面加入拋光液，再依次停止第二轉軸的轉動和水平滑動，以及第一轉軸的轉動，最后向上升高待拋光件并取出；

所述步驟2)中，所述第一轉軸的轉速為每分鐘60～180轉，所述第二轉軸的轉速為每分鐘1000至3000轉，且第二轉軸向第一轉軸的方向水平移動速度為每分鐘5～20米。

7.根據權利要求6所述的一種半導體基片的流體動壓拋光方法，其特征在于：所述拋光液由重量百分比為2～20％且平均粒徑為1～50μm的磨料、重量百分比為1～10的甘油或油酸穩定劑和重量百分比1～10％的防銹劑組成。

8.根據權利要求6所述的一種半導體基片的流體動壓拋光方法，其特征在于：所述拋光液由重量百分比15～40％且平均粒徑為1～50μm的羰基鐵粉、重量百分比為2～20％且平均粒徑為1～50μm的磨料、重量百分比為1～10的甘油或油酸穩定劑和重量百分比1～10％的防銹劑組成；所述拋光盤的下方設有磁性體。