[發明專利]一種半導體設備前端處理裝置

有效

• 申請號: 201610349539.7
• 申請日: 2016-05-24
• 公開（公告）號: CN107424895B
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 彭宇霖
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

1.一種半導體設備前端處理裝置，其特征在于，包括微環境提供腔室，用于為置于其中的基片提供均勻氣流環境，所述微環境提供腔室的一端開設有氣流入口，所述前端處理裝置還包括吹掃機構，所述吹掃機構連接在所述氣流入口，用于向所述微環境提供腔室內輸入吹掃氣流，所述吹掃氣流為惰性氣體；所述吹掃機構包括勻流腔，所述勻流腔為完全封閉式腔體，所述勻流腔的出口連接于所述氣流入口，用于向所述微環境提供腔室內輸入均勻氣流；

其中，所述微環境提供腔室能與大氣環境連通，且所述吹掃氣流的壓力大于所述微環境提供腔室外部的氣體壓力，以使所述微環境提供腔室外部的水汽無法進入到所述微環境提供腔室中，避免殘留在所述基片表面的鹵素氣體及其化合物與水汽發生冷凝反應。

2.根據權利要求1所述的半導體設備前端處理裝置，其特征在于，所述勻流腔內還設置有勻流板，所述勻流板設置在所述勻流腔的入口處，用于使從所述勻流腔的入口輸入到所述勻流腔內部的氣流均勻擴散。

3.根據權利要求2所述的半導體設備前端處理裝置，其特征在于，所述勻流板包括板體和開設在所述板體上的多個通孔，多個所述通孔的形狀大小相同，且多個所述通孔在所述板體上均勻分布。

4.根據權利要求2所述的半導體設備前端處理裝置，其特征在于，所述吹掃機構還包括壓力表和調壓閥，所述壓力表的輸出端連接于所述勻流腔的入口，所述壓力表的輸入端連接所述調壓閥的輸出端；所述調壓閥用于調節輸入到所述勻流腔內的吹掃氣流的壓力；所述壓力表用于顯示所述調壓閥對吹掃氣流壓力的調節。

5.根據權利要求4所述的半導體設備前端處理裝置，其特征在于，所述吹掃機構還包括開關閥，所述開關閥的一端連接所述調壓閥，另一端連接吹掃氣流的提供源，所述開關閥用于開啟或關閉所述提供源，所述提供源用于向所述微環境提供腔室提供惰性氣體。

6.根據權利要求5所述的半導體設備前端處理裝置，其特征在于，所述吹掃機構還包括水霧過濾器，所述水霧過濾器的入口連接所述提供源，所述水霧過濾器的出口連接所述開關閥；所述水霧過濾器用于對所述提供源提供的吹掃氣體中的水汽進行過濾。

7.根據權利要求4所述的半導體設備前端處理裝置，其特征在于，所述吹掃機構還包括質量流量計，所述質量流量計的輸入端連接所述壓力表的輸出端，所述質量流量計的輸出端連接所述勻流腔的入口，所述質量流量計用于控制輸入至所述勻流腔的吹掃氣流的流量。

8.根據權利要求4所述的半導體設備前端處理裝置，其特征在于，所述吹掃機構還包括限流器，所述限流器的輸入端連接所述壓力表的輸出端，所述限流器的輸出端連接所述勻流腔的入口，所述限流器用于控制輸入至所述勻流腔的吹掃氣流的流量。

9.根據權利要求1所述的半導體設備前端處理裝置，其特征在于，所述勻流腔采用不銹鋼材質。

10.根據權利要求1所述的半導體設備前端處理裝置，其特征在于，所述微環境提供腔室內設置有風扇，所述風扇對應設置于所述氣流入口處，所述風扇轉動時，可以使輸入至所述微環境提供腔室內的吹掃氣流的壓力大于所述微環境提供腔室外部的氣體壓力。