[發(fā)明專利]納米錫化物多有源層結構高性能晶體管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610349382.8 | 申請日： | 2016-05-23 |
| 公開（公告）號： | CN105977286B | 公開（公告）日： | 2020-08-21 |
| 發(fā)明（設計）人： | 趙靈智;姜如青 | 申請（專利權）人： | 華南師范大學 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京獻智知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11434 | 代理人： | 楊獻智 |
| 地址： | 510631 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米 錫化物多 有源 結構 性能 晶體管 | ||
【說明書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
