[發明專利]像素結構有效
| 申請號: | 201610349202.6 | 申請日: | 2011-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN105789224B | 公開(公告)日: | 2019-11-08 |
| 發明(設計)人: | 永澤耕一;玉置昌哉;林宗治;加邊正章;福永容子 | 申請(專利權)人: | 株式會社日本顯示器 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 勵曉林 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 結構 | ||
1.一種像素結構,包括:
至少三個電極,被部署為在第二平面化膜上彼此分開,所述至少三個電極包括:
第一電極,它們是所述至少三個電極中的兩個電極;及
第二電極,其是三個電極中除了所述第一電極之外的一個電極;以及
至少兩個驅動電路;以及
順序層壓在形成電路部分的基底上的第一平面化膜和第二平面化膜,所述第一平面化膜和所述第二平面化膜比包括所述電路部分的層距基底更遠;以及
其中,
所述電路部分包括第一驅動電路以及第二驅動電路,
所述第一電極電連接至第一驅動電路,并且所述第一驅動電路驅動所述第一電極;并且,所述第二電極電連接至第二驅動電路,并且所述第二驅動電路驅動所述第二電極,
在兩層結構的所述第一和第二平面化膜中,形成第一平面化膜的第一接觸部分,而所述第一電極的第二接觸部分形成在對應于各自第一電極的中心位置的部分,
當從上面看時,形成在第一平面化膜的第一接觸部分和第二平面化膜的第二接觸部分形成在穿過各自第一電極的中心位置的一條直線上,所述第一接觸部分位于第二接觸部分之間。
2.如權利要求1所述的像素結構,還包括:
金屬配線,用于電連接所述第一電極,
其中
所述金屬配線形成在所述第一平面化膜與所述第二平面化膜之間。
3.如權利要求1所述的像素結構,
其中所述第一驅動電路和所述第二驅動電路被部署為在平面視圖中重疊所述第一電極和所述第二電極。
4.如權利要求1所述的像素結構,
其中所述第一電極通過與所述第二電極的面積組合,進行顯示灰度的面積比灰度級。
5.如權利要求4所述的像素結構,
其中在所述面積比灰度級上,各個比特的重心的位置相同。
6.如權利要求4所述的像素結構,
其中所述第一電極通過與所述第二電極的面積組合,進行2:1的面積比灰度級。
7.如權利要求6所述的像素結構,
其中所述第一電極和所述第二電極的各自尺寸彼此相等。
8.如權利要求7所述的像素結構,
其中以將所述第二電極插入在所述第一電極之間的方式部署所述第一電極。
9.如權利要求7所述的像素結構,
其中所述像素結構采用使得液晶分子在沒有電場時垂直于所述基底的垂直對準模式,并且
所述第一電極和所述第二電極的各自中心部分具有用于控制垂直對準的對準因子。
10.如權利要求9所述的像素結構,
所述第二平面化膜在對應于所述第一電極的中心位置的部分、以及對應于所述第二電極的中心位置的部分的每個中,具有接觸部分。
11.如權利要求10所述的像素結構,
其中所述接觸部分用作所述對準因子。
12.如權利要求2所述的像素結構,
其中所述電路部分具有用于保持每個像素中的數據的存儲器。
13.如權利要求12所述的像素結構,還包括:
第一控制線,用于向所述電路部分提供第一控制脈沖;以及
第二控制線,用于向所述電路部分提供第二控制脈沖,其中
所述電路部分被部署為重疊所述第一電極和所述第二電極的區域,并且
所述第一驅動電路和所述第二驅動電路的每個包括鎖存電路。
14.如權利要求2所述的像素結構,其中所述金屬配線包括至少兩條在所述第一接觸部分與所述第二接觸部分之間連接的配線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





