[發明專利]一種聲電混合激勵人工耳蝸植入體執行端

有效

• 申請號: 201610348989.4
• 申請日: 2016-05-24
• 公開（公告）號: CN105854183B
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發明（設計）人: 尤政;羅川;徐雨辰
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: A61N1/36
• 分類號: A61N1/36;A61N1/05
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙)11201
• 代理人: 張大威

1.一種聲電混合激勵人工耳蝸的植入體執行端，其特征在于，包括：

人工耳蝸薄膜電極陣列，作為電激勵源植入人工耳蝸的頂部；

壓電微驅動薄膜，作為聲激勵源位于所述人工耳蝸的底部，用于推動淋巴液產生聽力；以及

驅動電路，與所述人工耳蝸薄膜電極陣列和壓電微驅動薄膜連接，用于接收體外聲處理模塊所輸入的包含聲音信息的信號并產生相應的驅動信號以驅動所述人工耳蝸薄膜電極陣列和所述壓電微驅動薄膜。

2.根據權利要求1所述的聲電混合激勵人工耳蝸的植入體執行端，其特征在于，所述人工耳蝸薄膜電極陣列包括：

基底parylene薄膜層；

形成在所述parylene薄膜層之上的電極導線層；

形成在電極導線層之上的parylene隔離層，其中，所述parylene隔離層設置有開口；

通過所述開口引出的電極，其中，所述電極與所述電極導線層連接；以及

覆蓋于所述parylene薄膜層、所述電極導線層和所述隔離層之上的parylene封裝層。

3.根據權利要求1所述的聲電混合激勵人工耳蝸的植入體執行端，其特征在于，所述壓電微驅動薄膜包括：

硅基底；

位于所述硅基底之上的SiO₂層；

位于所述SiO₂層之上的Si₃N₄層；

位于所述Si₃N₄層之上的底電極；

位于所述底電極之上的PZT薄膜層；

位于所述PZT薄膜層之上的頂電極；以及

覆蓋于所述硅基底、所述SiO₂層、所述Si₃N₄層、所述底電極層、所述PZT薄膜層和所述頂電極層之上的parylene封裝層。

4.根據權利要求1所述的聲電混合激勵人工耳蝸的植入體執行端，其特征在于，所述人工耳蝸薄膜電極陣列和所述壓電微驅動薄膜在同晶圓上通過一次流片加工集成器件。

5.根據權利要求1-4任一項所述的聲電混合激勵人工耳蝸的植入體執行端，其特征在于，所述人工耳蝸薄膜電極陣列用于產生1kHz以上的聽力，所述壓電微驅動薄膜用于產生2kHz以下的聽力。

6.一種制備如權利要求2所述的人工耳蝸薄膜電極陣列的方法，其特征在于，包括以下步驟：

A1：在硅基底上沉積parylene薄膜層；

A2：在所述parylene薄膜層之上沉積Au/Cr合金并剝離圖案化作為電極導線層；

A3：在所述電極導線層之上沉積parylene隔離層；

A4：刻蝕所述parylene隔離層形成開口；

A5：對所述開口沉積Pt/Ti合金并剝離圖案化作為電極；

A6：在所述parylene薄膜parylene薄膜層、所述電極導線層和所述parylene隔離層之上沉積parylene封裝層；

A7：刻蝕所述parylene封裝層以露出所述電極；以及

A8：去除所述硅基底。

7.一種制備如權利要求3所述的壓電微驅動薄膜的方法，其特征在于，包括以下步驟：

B1：提供硅基底；

B2：在所述硅基底之上形成SiO₂層；

B3：在所述SiO₂層之上沉積Si₃N₄層；

B4：在所述Si₃N₄層之上沉積Pt/Ti合金并剝離圖案化作為底電極；

B5：在所述Si₃N₄層和底電極之上形成PZT薄膜；

B6：刻蝕所述PZT薄膜形成圖案化表面；

B7：沉積Au/Cr合金并剝離圖案化作為頂電極；

B8：對所述基底進行刻蝕形成預定形狀；以及

B9：在所述Si₃N₄層、所述底電極層、所述PZT薄膜層和所述頂電極層之上形成parylene封裝層。