[發明專利]一種靜音電路及電子設備

在審

• 申請號: 201610348521.5
• 申請日: 2016-05-24
• 公開（公告）號: CN107426648A
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發明（設計）人: 張宏立;鄒萬俊;閔言燦
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H04R3/00
• 分類號: H04R3/00
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司11274
• 代理人: 申健

1.一種靜音電路，應用于包含音頻電路的電子設備中，其特征在于，所述靜音電路包括：主控芯片和靜音控制子電路；

其中，所述主控芯片包括靜音控制管腳；所述靜音控制管腳與所述靜音控制子電路的第一端連接，所述靜音控制子電路的第二端連接至所述音頻電路；

在所述電子設備上電時，所述主控芯片控制所述靜音控制管腳持續處于第一狀態，以通過所述靜音控制子電路使得所述音頻電路處于靜音狀態；

在所述電子設備下電時，所述主控芯片控制所述靜音控制管腳處于第二狀態，以通過所述靜音控制子電路使得所述音頻電路處于靜音狀態。

2.根據權利要求1所述的靜音電路，其特征在于，所述靜音控制子電路包括：存儲單元、上電回路、下電回路和晶體管；

其中，所述存儲單元的第一端通過所述上電回路連接至電源，所述存儲單元的第二端接地，所述存儲單元的第一端還通過所述下電回路連接至所述晶體管的基極，所述晶體管的第一極接地，所述晶體管的第二極連接至電源；

所述晶體管的基極為所述靜音控制子電路的第一端，所述晶體管的第二極為所述靜音控制字電路的第二端；

當所述電子設備上電時，所述主控芯片控制所述靜音控制管腳持續處于所述第一狀態，所述晶體管導通，使得所述晶體管的第二極通過所述第一極接地，從而使得所述音頻電路處于靜音狀態；

當所述電子設備上電時，所述電源經所述上電回路為所述存儲單元充電；

當所述電子設備下電時，所述主控芯片控制所述靜音控制管腳處于所述第二狀態，所述存儲單元經所述下電回路維持所述晶體管的基極為高電平，所述晶體管導通，使得所述晶體管的第二極通過所述第一極接地，從而使得所述音頻電路處于靜音狀態。

3.根據權利要求2所述的靜音電路，其特征在于，所述靜音控制子電路還包括：

設置于所述下電回路和所述晶體管的基極之間的電阻R1；

設置于所述晶體管的第二極和所述電源之間的電阻R2。

4.根據權利要求2或3所述的靜音電路，其特征在于，所述下電回路包括二極管；所述二極管的陽極連接至所述存儲單元的第一端，所述二極管的陰極連接至所述晶體管的基極。

5.根據權利要求4所述的靜音電路，其特征在于，所述存儲單元為電容，所述上電回路包括電阻R3，所述下電回路還包括電阻R4；

其中，所述電容的第一端與所述電阻R3的第一端連接，所述電阻R3的第二端與所述電源連接，所述電容的第二端接地；所述二極管的陽極通過所述電阻R4連接至所述電容的第一端，所述二極管的陰極連接至所述晶體管的基極。

6.根據權利要求2-5中任一項所述的靜音電路，其特征在于，

所述晶體管為NPN型三極管，所述第一極為發射極，所述第二極為集電極；所述第一狀態為輸出高電平，所述第二狀態為高阻態；

或者，

所述晶體管為PNP型三極管，所述第一極為集電極，所述第二極為發射極；所述第一狀態為輸出低電平，所述第二狀態為保持對地導通的狀態。

7.一種靜音電路，應用于包含音頻電路的電子設備中，其特征在于，所述靜音電路包括：存儲單元、上電回路、下電回路和晶體管；

其中，所述存儲單元的第一端通過所述上電回路連接至電源，所述存儲單元的第二端接地，所述存儲單元的第一端還通過所述下電回路連接至所述晶體管的基極，所述晶體管的發射極接地，所述晶體管的集電極連接至電源，所述晶體管的集電極還連接至所述音頻電路；

當所述電子設備上電時，所述電源經所述上電回路和所述下電回路維持所述晶體管的基極為高電平，所述晶體管導通，使得所述晶體管的集電極通過所述發射極接地，從而使得所述音頻電路處于靜音狀態；

當所述電子設備上電時，所述電源經所述上電回路為所述存儲單元充電；

當所述電子設備下電時，所述存儲單元經所述下電回路維持所述晶體管的基極為高電平，所述晶體管導通，使得所述晶體管的集電極通過所述發射極接地，從而使得所述音頻電路處于靜音狀態。

8.根據權利要求7所述的靜音電路，其特征在于，所述靜音電路還包括：

設置于所述下電回路和所述晶體管的基極之間的電阻R1；

設置于所述晶體管的集電極和所述電源之間的電阻R2。