[發明專利]一種VDMOS芯片的測試裝置及方法

在審

• 申請號: 201610346382.2
• 申請日: 2016-05-23
• 公開（公告）號: CN107422242A
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發明（設計）人: 趙圣哲
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R1/073
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司11002
• 代理人: 李相雨

1.一種VDMOS芯片的測試裝置，其特征在于，所述裝置包括：并排設置的至少兩個針卡；

其中，所述至少兩個針卡之間通過導線連接，且相鄰兩個針卡之間的間距與晶圓的第一方向上相鄰兩個垂直雙擴散金屬-氧化物半導體場效應晶體管VDMOS芯片之間的間距相等。

2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置包括：第一針卡、第二針卡及第三針卡；

其中，所述第一針卡與所述第二針卡通過導線連接，所述第二針卡與所述第三針卡通過導線連接，所述第一針卡與所述第三針卡通過導線連接。

3.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，每個針卡的步進距離設置為：步進距離＝晶圓的第一方向上相鄰兩個VDMOS芯片之間的間距×針卡數量。

4.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述晶圓上的VDMOS芯片陣列排布，所述VDMOS芯片在第一方向上形成多排，在第二方向上形成多排；所述第一方向與第二方向垂直；

所述針卡的數量小于等于所述晶圓的第一方向上每排VDMOS芯片的數量。

5.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，每個針卡包括：一個柵極探針及至少一個源極探針。

6.一種基于權利要求1～5中任一項所述的VDMOS芯片的測試裝置的VDMOS芯片測試方法，其特征在于，包括：

采用包括N個針卡的VDMOS芯片的測試裝置同時測試N個VDMOS芯片，并采集所述N個VDMOS芯片的數據；N大于等于2；

基于預設的步進距離，控制所述VDMOS芯片的測試裝置測試另N個VDMOS芯片并采集數據，直至完成晶圓上所有VDMOS芯片的數據采集；

其中，所述N個針卡兩兩之間通過導線連接，且相鄰兩個針卡之間的間距與晶圓的第一方向上相鄰兩個VDMOS芯片之間的間距相等。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

沿晶圓的第一方向，控制所述VDMOS芯片的測試裝置逐行順序測試所述晶圓上的VDMOS芯片。

8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述預設的步進距離為：步進距離＝晶圓的第一方向上相鄰兩個VDMOS芯片之間的間距×針卡數量。

9.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述晶圓上的VDMOS芯片陣列排布，所述VDMOS芯片在第一方向上形成多排，在第二方向上形成多排；所述第一方向與第二方向垂直；

所述針卡的數量N小于等于所述晶圓的第一方向上每排VDMOS芯片的數量。

10.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，每個針卡包括：一個柵極探針及至少一個源極探針。