[發明專利]TFT基板的制作方法及TFT基板有效
| 申請號: | 201610345315.9 | 申請日: | 2016-05-23 |
| 公開(公告)號: | CN105789120B | 公開(公告)日: | 2019-05-31 |
| 發明(設計)人: | 周志超;夏慧 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | tft 制作方法 基板 | ||
本發明提供一種TFT基板的制作方法及TFT基板。本發明的TFT基板的制作方法,采用雙柵極結構,所述雙柵極在有源層兩側對稱分布,能有效防止TFT閾值電壓的變動,提升TFT的開關特性;同時通過先制作有源層后制作柵極絕緣層,使柵極絕緣層直接生長于有源層上,改善了柵極絕緣層與有源層的接觸界面,進一步提升TFT的開關特性。本發明的TFT基板,區別于傳統的底柵或頂柵結構的TFT基板,使柵極在豎直方向上位于源極和像素電極之間,并且采用對稱于有源層的雙柵極結構,能有效防止TFT閾值電壓的變動,提升TFT的開關特性;同時改善了柵極絕緣層與有源層的接觸界面,進一步提升TFT的開關特性。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種TFT基板的制作方法及TFT基板。
背景技術
隨著顯示技術的發展,液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質、省電、機身薄及應用范圍廣等優點,而被廣泛的應用于手機、電視、個人數字助理、數字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產品,成為顯示裝置中的主流。
現有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器,其包括液晶顯示面板及背光模組(backlight module)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當中放置液晶分子,兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細小電線,通過通電與否來控制液晶分子改變方向,將背光模組的光線折射出來產生畫面。
通常液晶顯示面板由彩膜(CF,Color Filter)基板、薄膜晶體管(TFT,Thin FilmTransistor)基板、及夾設于彩膜基板與薄膜晶體管基板之間的液晶(LC,Liquid Crystal)及密封膠框(Sealant)組成,其成型工藝一般包括:前段陣列(Array)制程(薄膜、黃光、蝕刻及剝膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板與CF基板貼合)、及后段模組組裝制程(驅動IC與印刷電路板壓合)。其中,前段Array制程主要是形成TFT基板,以便于控制液晶分子的運動;中段Cell制程主要是在TFT基板與CF基板之間添加液晶;后段模組組裝制程主要是驅動IC壓合與印刷電路板的整合,進而驅動液晶分子轉動,顯示圖像。
在液晶顯示面板工業中,目前的TFT基板常采用單一柵極結構,而單一柵極結構的TFT基板在較長時間的工作后其載流子運輸特性會發生變化,具體體現在其閾值電壓會隨工作時間的延長而發生正向偏移或是負向偏移,從而影響TFT的開關特性。
發明內容
本發明的目的在于提供一種TFT基板的制作方法,能有效防止TFT閾值電壓的變動,并改善柵極絕緣層與有源層的接觸界面,提升TFT的開關特性。
本發明的目的還在于提供一種TFT基板,能有效防止TFT閾值電壓的變動,并改善柵極絕緣層與有源層的接觸界面,提升TFT的開關特性。
為實現上述目的,本發明首先提供一種TFT基板的制作方法,包括如下步驟:
步驟1、提供一襯底基板,在所述襯底基板上形成數據線、及與數據線相連的源極;
步驟2、形成有源層,所述有源層至少部分位于所述源極上;
步驟3、在所述有源層、源極、及襯底基板上形成柵極絕緣層,對所述柵極絕緣層進行圖形化處理,在所述柵極絕緣層上形成對應于所述有源層的第一通孔;
步驟4、形成第一柵極、第二柵極、及漏極,所述第一柵極、及第二柵極均位于柵極絕緣層上,且分別對應于所述有源層的兩側,所述漏極至少部分位于所述第一通孔內并通過第一通孔與所述有源層相連;
步驟5、在所述漏極、第一柵極、第二柵極、及柵極絕緣層上形成鈍化層,對所述鈍化層進行圖形化處理,在所述鈍化層上形成對應于漏極的第二通孔;
步驟6、形成像素電極,所述像素電極至少部分位于所述第二通孔內并通過第二通孔與漏極相連。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





