[發明專利]一種低溫無壓燒結氮化鋁陶瓷的制備方法在審
| 申請號： | 201610344841.3 | 申請日： | 2016-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN107417282A | 公開（公告）日： | 2017-12-01 |
| 發明（設計）人： | 吳誠;劉久明;高勇 | 申請（專利權）人： | 河北高富氮化硅材料有限公司 |
| 主分類號： | C04B35/581 | 分類號： | C04B35/581;C04B35/64 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 054300 河北省邢*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 低溫 燒結 氮化 陶瓷 制備 方法 | ||
1.一種低溫無壓燒結氮化鋁陶瓷的制備方法，包括配料、混合、造粒、成型和燒結，其特征在于：
（1）以高純氮化鋁粉體與外加5wt%-10wt%透輝石粉體和外加1wt%-5wt%氟化釔為原料；
（2）將步驟(1)備好的原料加入無水乙醇進行混合，然后置于100℃烘箱中烘干，再加入8wt%-18wt%質量分數為5wt%的PVB無水乙醇溶液，混合均勻造粒，放入200-400MPa壓力下成型，在1500℃-1650℃、保溫1-5h條件下得到氮化鋁陶瓷。
2.根據權利要求1所述的低溫無壓燒結氮化鋁陶瓷制備方法，其特征在于所述的高純氮化鋁純度大于等于99%，粒度在0.2-2μm之間。
3.根據權利要求1所述的低溫無壓燒結氮化鋁陶瓷制備方法，其特征在于透輝石粉體是由碳酸鈣、氧化鎂和氧化硅制備的。
4.根據權利要求1所述的低溫無壓燒結氮化鋁陶瓷制備方法，其特征在于PVB無水乙醇溶液的加入量在8wt%-18wt%。
5.根據權利要求1所述的低溫無壓燒結氮化鋁陶瓷制備方法，其特征在于成型壓力為200-400MPa。
6.根據權利要求1所述的低溫無壓燒結氮化鋁陶瓷制備方法，其特征在于無壓燒結的溫度是1500℃-1650℃，保溫時間是1-5h。
7.根據權利要求1所述的低溫無壓燒結氮化鋁陶瓷制備方法，其特征在于制備的氮化鋁陶瓷熱導率大于200W/(m.k)，三點抗折強度大于300MPa。
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