[發明專利]絕緣體上半導體構造中的電熔絲有效
| 申請號： | 201610344427.2 | 申請日： | 2016-05-23 |
| 公開（公告）號： | CN106169465B | 公開（公告）日： | 2019-03-08 |
| 發明（設計）人： | J·霍恩切爾;P·巴爾斯;H-P·莫爾 | 申請（專利權）人： | 格羅方德半導體公司 |
| 主分類號： | H01L23/62 | 分類號： | H01L23/62;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人： | 程偉;王錦陽 |
| 地址： | 英屬開曼群*** | 國省代碼： | 開曼群島;KY |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電熔絲 絕緣體 上半 導體 構造 | ||
【權利要求書】：
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