[發明專利]一種eMCP模塊結構及制作方法在審
| 申請號： | 201610343363.4 | 申請日： | 2016-05-20 |
| 公開（公告）號： | CN107403735A | 公開（公告）日： | 2017-11-28 |
| 發明（設計）人： | 胡雙 | 申請（專利權）人： | 無錫天芯互聯科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/60 | 分類號： | H01L21/60;H01L23/495 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知識產權代理事務所(普通合伙)44285 | 代理人： | 王仲凱 |
| 地址： | 214062 江蘇省無錫市新區菱湖*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 emcp 模塊 結構 制作方法 | ||
1.一種eMCP模塊的制作方法，其特征在于，包括：
對DRAM芯片進行WLCSP封裝；
將完成WLCSP封裝的所述DRAM芯片倒裝貼合在所述基板的正面。
2.如權利要求1所述的eMCP模塊的制作方法，其特征在于，所述將完成WLCSP封裝的所述DRAM芯片倒裝貼合在所述基板的正面，包括對所述基板的正面設置凹槽，將所述DRAM芯片的芯片球設置在所述基板的凹槽中。
3.如權利要求2所述的eMCP模塊的制作方法，其特征在于，所述DRAM芯片的封裝球的直徑為0.20mm，間距為0.20mm，高度為0.20mm。
4.如權利要求3所述的eMCP模塊的制作方法，其特征在于，所述基板為四層板，所述凹槽位于第一層板、第二層板以及所述第一層板和所述第二層板之間的PP層。
5.如權利要求4所述的eMCP模塊的制作方法，其特征在于，所述凹槽的橫截面的長度為6.4mm-6.5mm，寬度為4.8mm-5.0mm，所述凹槽的高度為0.19mm-0.20mm。
6.如權利要求5所述的eMCP模塊的制作方法，其特征在于，所述將完成WLCSP封裝的所述DRAM芯片倒裝貼合在所述基板的正面，還包括對所述基板的第三層的上表面制作與所述DRAM芯片的封裝球的焊盤形狀匹配的焊盤，且對所述基板的第三層的焊盤進行電軟金涂覆。
7.如權利要求6所述的eMCP模塊的制作方法，其特征在于，還包括使用點膠機將所述DRAM芯片的芯片球與所述基板的凹槽之間的縫隙用底填劑填充之后烘烤固化。
8.如權利要求7所述的eMCP模塊的制作方法，其特征在于，還包括主控芯片，所述主控芯片設置在所述DRAM芯片的正面或設置在所述基板的正面。
9.一種eMCP模塊結構，其特征在于，包括完成WLCSP封裝的 DRAM芯片和設置有凹槽的基板，所述DRAM芯片的封裝球倒裝設置在所述基板的凹槽內。
10.如權利要求9所述的eMCP模塊結構，其特征在于，還包括主控芯片，所述主控芯片設置在所述DRAM芯片的正面或設置在所述基板的正面。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
