[發(fā)明專利]超材料、天線反射面、超材料的控制方法和裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610340615.8
• 申請(qǐng)日: 2016-05-19
• 公開（公告）號(hào): CN107404004A
• 公開（公告）日: 2017-11-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳超級(jí)數(shù)據(jù)鏈技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01Q15/00
• 分類號(hào): H01Q15/00;H01Q15/14
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11240
• 代理人: 韓建偉,張永明

1.一種超材料，所述超材料包括：至少一個(gè)超材料結(jié)構(gòu)單元，其中，所述超材料結(jié)構(gòu)單元包括：基底材料以及附著在所述基底材料上的導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)，其特征在于：

所述導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)包括具有至少兩個(gè)缺口的金屬環(huán)，其中，所述至少兩個(gè)缺口呈對(duì)稱結(jié)構(gòu)；

任意一個(gè)所述缺口設(shè)置有變?nèi)荻O管。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超材料，其特征在于，所述導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)平面排布于所述基底材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超材料，其特征在于，在所述超材料包括多個(gè)所述導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)的情況下，每個(gè)所述導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)中的金屬環(huán)的缺口排布方向一致，其中，所述每個(gè)導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)中的變?nèi)荻O管位于同一側(cè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的超材料，其特征在于，所述超材料結(jié)構(gòu)單元按照等間距的結(jié)構(gòu)排列。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的超材料，其特征在于，所述超材料結(jié)構(gòu)單元的間距為預(yù)設(shè)距離；所述預(yù)設(shè)距離處于1/2λ到λ的范圍內(nèi)，所述λ為與所述超材料的中心工作頻率對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超材料，其特征在于，所述超材料的工作頻率處于0.5GHz到300GHz的范圍內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超材料，其特征在于，所述基底材料為非磁性介質(zhì)材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的超材料，其特征在于，所述非磁性介質(zhì)材料的介電常數(shù)處于2到10的范圍內(nèi)，所述非磁性介質(zhì)材料的磁導(dǎo)率為預(yù)設(shè)常數(shù)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的超材料，其特征在于，所述預(yù)設(shè)常數(shù)為1。

10.一種天線反射面，其特征在于，所述天線反射面包括權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的超材料。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的天線反射面，其特征在于，所述天線反射面的入射波為滿足遠(yuǎn)場(chǎng)條件的電磁波。

12.一種超材料的控制方法，其特征在于，所述超材料包括權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的超材料，其中，所述控制方法包括：

獲取變?nèi)荻O管的電容與所述超材料的工作頻率的關(guān)系模型；

根據(jù)目標(biāo)工作頻率在所述關(guān)系模型中查找與所述目標(biāo)工作頻率對(duì)應(yīng)的工作電容；

通過將所述變?nèi)荻O管的電容調(diào)整至所述工作電容，來調(diào)整所述超材料的工作頻率。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，獲取變?nèi)荻O管與所述超材料的關(guān)系模型，包括：

通過預(yù)設(shè)算法得到與所述變?nèi)荻O管的電容對(duì)應(yīng)的所述超材料的工作頻率；

記錄所述變?nèi)荻O管的電容對(duì)應(yīng)的所述超材料的工作頻率，得到所述關(guān)系模型。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，通過調(diào)整所述變?nèi)荻O管的外加反偏電壓來調(diào)整所述變?nèi)荻O管的電容。

15.一種超材料的控制裝置，其特征在于，所述超材料包括權(quán)利要求1至11中任意一項(xiàng)所述的超材料，其中，所述控制裝置包括：

獲取模塊，用于獲取變?nèi)荻O管的電容與所述超材料的工作頻率的關(guān)系模型；

查找模塊，用于根據(jù)目標(biāo)工作頻率在所述關(guān)系模型中查找與所述目標(biāo)工作頻率對(duì)應(yīng)的工作電容；

調(diào)整模塊，用于通過將所述變?nèi)荻O管的電容調(diào)整至所述工作電容，來調(diào)整所述超材料的工作頻率。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于，所述獲取模塊包括：

計(jì)算模塊，用于通過預(yù)設(shè)算法得到與所述變?nèi)荻O管的電容對(duì)應(yīng)的所述超材料的工作頻率；

記錄模塊，用于記錄所述變?nèi)荻O管的電容對(duì)應(yīng)的所述超材料的工作頻率，得到所述關(guān)系模型。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于，通過調(diào)整所述變?nèi)荻O管的外加反偏電壓來調(diào)整所述變?nèi)荻O管的電容。