[發(fā)明專利]一種基于石墨烯的硅基微環(huán)光路由器

在審

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• 申請日: 2016-05-23
• 公開（公告）號: CN105785602A
• 公開（公告）日: 2016-07-20
• 發(fā)明（設計）人: 陸榮國;孟鳶;田朝輝;葉勝威;劉天良;劉永
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: G02F1/01
• 分類號: G02F1/01;G02B6/293
• 代理公司: 成都弘毅天承知識產權代理有限公司 51230
• 代理人: 楊保剛;馬林中

1.一種基于石墨烯的硅基微環(huán)光路由器，其特征在于，包括至少一個微環(huán)光路由器，所述微環(huán)光路由器包括兩條相互平行的總線光波導I和總線光波導II，所述的總線光波導I和總線光波導II之間設置有微環(huán)，所述微環(huán)連接有電極，所述微環(huán)的整體或部分區(qū)域設置有石墨烯層，設置有石墨烯層的微環(huán)從下至上依次包括微環(huán)硅層、下分隔層、石墨烯層、上分隔層、微環(huán)硅層和包層，所述石墨烯層的一側延伸到電極的下方。

2.根據權利要求1所述的基于石墨烯的硅基微環(huán)光路由器，其特征在于，所述總線光波導I、總線光波導II和微環(huán)置于SOI結構的二氧化硅緩沖層的上方。

3.根據權利要求1所述的基于石墨烯的硅基微環(huán)光路由器，其特征在于，所述石墨烯層與二氧化硅緩沖層相互平行。

4.根據權利要求1所述的基于石墨烯的硅基微環(huán)光路由器，其特征在于，總線光波導I、總線光波導II和微環(huán)的橫截面均采用脊型波導結構。

5.根據權利要求1所述的基于石墨烯的硅基微環(huán)光路由器，其特征在于，所述總線光波導I與總線光波導II的幾何結構相同；所述總線光波導I、總線光波導II和微環(huán)的波導高度相同；總線光波導I和總線光波導II兩者橫截面的脊型光波導結構的脊寬和微環(huán)橫截面的脊型光波導結構的脊寬相同。

6.根據權利要求1所述的基于石墨烯的硅基微環(huán)光路由器，其特征在于，微環(huán)與總線光波導I以及總線光波導II的耦合距離相同。

7.根據權利要求1所述的基于石墨烯的硅基微環(huán)光路由器，其特征在于，所述石墨烯層的材料由單層石墨烯材料制成。

8.根據權利要求1所述的基于石墨烯的硅基微環(huán)光路由器，其特征在于，當微環(huán)光路由器的數量大于等于2個時，各個微環(huán)光路由器串聯(lián)連接。