[發(fā)明專利]非易失性存儲器裝置以及包括該非易失性存儲器裝置的數(shù)據(jù)存儲裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610339281.2
• 申請日: 2016-05-19
• 公開（公告）號: CN106935265B
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 嚴(yán)基杓
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/14
• 分類號: G11C16/14
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 張晶;瞿衛(wèi)軍

本發(fā)明提供一種數(shù)據(jù)存儲裝置，其包括非易失性存儲器裝置；以及控制器，其適于向非易失性存儲器裝置提供正常擦除命令或者精細(xì)擦除命令，其中非易失性存儲器裝置根據(jù)正常擦除命令執(zhí)行第一正常擦除循環(huán)，并且根據(jù)精細(xì)擦除命令執(zhí)行第一精細(xì)擦除循環(huán)，其中，第一正常擦除循環(huán)中，第一正常擦除電壓和擦除驗證電壓施加于擦除目標(biāo)存儲器單元，而第一精細(xì)擦除循環(huán)中，第一精細(xì)擦除電壓和擦除驗證電壓施加于擦除目標(biāo)存儲器單元。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2015年12月30日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的申請?zhí)枮?0-2015-0189481的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其全部公開通過引用并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明各種實施例總體涉及一種包括非易失性存儲器裝置的數(shù)據(jù)存儲裝置，并且更特別地，涉及一種能夠密集地形成包括在非易失性存儲器裝置中的存儲器單元的擦除狀態(tài)分布的數(shù)據(jù)存儲裝置。

背景技術(shù)

計算機環(huán)境范例轉(zhuǎn)變?yōu)槠毡榇嬖诘挠嬎阆到y(tǒng)，使得能夠隨時隨地使用計算機系統(tǒng)。結(jié)果，便攜電子設(shè)備，諸如移動電話、數(shù)碼相機以及筆記本電腦的使用已經(jīng)快速地增加。一般地，這樣的便攜電子設(shè)備使用包括存儲器裝置的數(shù)據(jù)存儲裝置。數(shù)據(jù)存儲裝置可典型地用作便攜電子設(shè)備的輔助存儲器裝置。

由于使用存儲器裝置的數(shù)據(jù)存儲裝置不具有機械驅(qū)動部件，所以使用存儲器裝置的數(shù)據(jù)存儲裝置提供優(yōu)秀的穩(wěn)定性、持久性、高信息存取速度、以及低功耗。具有這樣的優(yōu)點的數(shù)據(jù)存儲裝置包括通用串行總線(USB)存儲器裝置、具有各種接口的存儲器卡以及固態(tài)驅(qū)動器(SSD)。

為了使便攜電子設(shè)備能夠播放諸如音樂或視頻文件的大文件，需要具有大存儲容量的數(shù)據(jù)存儲裝置。作為存儲媒體，高存儲容量數(shù)據(jù)存儲裝置采用存儲器單元高度集成的存儲器裝置，諸如，閃存裝置。

發(fā)明內(nèi)容

各種實施例涉及一種數(shù)據(jù)存儲裝置，其能夠密集地形成包括在非易失性存儲器裝置中的存儲器單元的擦除狀態(tài)分布。

在一個實施例中，一種數(shù)據(jù)存儲裝置可以包括：非易失性存儲器裝置；以及控制器，其配置為向非易失性存儲器裝置提供正常擦除命令或者精細(xì)擦除命令，其中非易失性存儲器裝置根據(jù)正常擦除命令執(zhí)行第一正常擦除循環(huán)，并且根據(jù)精細(xì)擦除命令執(zhí)行第一精細(xì)擦除循環(huán)，在第一正常擦除循環(huán)中，第一正常擦除電壓和擦除驗證電壓被施加至擦除目標(biāo)存儲器單元，在第一精細(xì)擦除循環(huán)中，第一精細(xì)擦除電壓和擦除驗證電壓被施加至擦除目標(biāo)存儲器單元。

在一個實施例中，一種非易失性存儲器裝置可以包括：存儲器單元；電壓發(fā)生器，其配置為生成將提供至存儲器單元的電壓；以及控制邏輯，其配置為根據(jù)外部裝置提供的正常擦除命令執(zhí)行第一正常擦除循環(huán)，并且根據(jù)外部裝置提供的精細(xì)擦除命令執(zhí)行第一精細(xì)擦除循環(huán)，在第一正常擦除循環(huán)中，電壓發(fā)生器被控制為使得第一正常擦除電壓和擦除驗證電壓被施加至存儲器單元中的擦除目標(biāo)存儲器單元，在第一精細(xì)擦除循環(huán)中，電壓發(fā)生器被控制為使得第一精細(xì)擦除電壓和擦除驗證電壓被施加至擦除目標(biāo)存儲器單元。

根據(jù)實施例，能夠密集地形成包括在非易失性存儲器裝置中的存儲器單元的擦除狀態(tài)分布。

附圖說明

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的非易失性存儲器裝置的框圖。

圖2是示出包括在圖1的非易失性存儲器裝置的存儲器單元陣列中的存儲器單元的閾值電壓分布的示例的簡圖。

圖3是示出包括在圖1的非易失性存儲器裝置的存儲器單元陣列中的存儲器單元的閾值電壓分布的示例的簡圖。

圖4和圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的分段擦除方法的簡圖。

圖6至圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的正常擦除操作和精細(xì)擦除操作的簡圖。

圖9是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的數(shù)據(jù)存儲裝置的框圖。