[發明專利]太陽能電池及制造太陽能電池的方法

在審

• 申請號: 201610339074.7
• 申請日: 2016-05-20
• 公開（公告）號: CN107403849A
• 公開（公告）日: 2017-11-28
• 發明（設計）人: 陳易聰;童智圣;蔡惟鼎;廖重期;邱彥凱;林綱正;黃桂武
• 申請（專利權）人: 昱晶能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/18
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國

1.一種太陽能電池，其特征在于，包含：

一半導體基板，具有一入光面，該入光面具有多個凸起結構，其中各該凸起結構包含一頂端120，任兩相鄰的所述凸起結構間具有一谷部，該谷部具有一曲率半徑介于25～500nm；

一射極層，位于該半導體基板內且靠近該入光面；以及

一電極，位于該半導體基板上。

2.如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，該太陽能電池為異質接面太陽能電池，且該射極層為硼的P型摻雜。

3.如權利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，還包含一反射層，覆蓋在該射極層上。

4.一種制造太陽能電池的方法，其特征在于，包含：

提供一半導體基板，該半導體基板具有一制程面；

在該制程面上進行粗糙化蝕刻形成多個凸起結構，其中任兩相鄰的所述凸起結構間具有一谷部；

氧化所述凸起結構的表面以形成一氧化層，使各該谷部未被氧化的部分形成一圓滑化結構；以及

移除該氧化層使該圓滑化結構露出。

5.如權利要求4所述的制造太陽能電池的方法，其特征在于，在移除該氧化層之后，還包含對該制程面進行一摻雜制程，以形成一射極層于該半導體基板內且靠近該制程面。

6.如權利要求5所述的制造太陽能電池的方法，其特征在于，還包含形成一抗反射層于該射極層上。

7.如權利要求4所述的制造太陽能電池的方法，其特征在于，形成該氧化層的方法包含使用大氣常壓電漿。

8.如權利要求4所述的制造太陽能電池的方法，其特征在于，蝕刻該氧化層包含使用一蝕刻劑，且該蝕刻劑包含HF、HCl或其組合。

9.如權利要求7所述的制造太陽能電池的方法，其特征在于，該大氣常壓電漿的功率介于1～2.5KW。

10.如權利要求6所述的制造太陽能電池的方法，其特征在于，還包含形成多個電極接觸該射極層。