[發明專利]化合物半導體集成電路的抗濕氣結構

在審

• 申請號: 201610339047.X
• 申請日: 2016-05-20
• 公開（公告）號: CN107403724A
• 公開（公告）日: 2017-11-28
• 發明（設計）人: 花長煌;邵耀亭
• 申請（專利權）人: 穩懋半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 馬雯雯,臧建明

1.一種化合物半導體集成電路的抗濕氣結構，其特征在于，包括：

一化合物半導體基板；

一化合物半導體磊晶結構，形成于所述化合物半導體基板之上；

一化合物半導體集成電路，形成于所述化合物半導體磊晶結構之上；以及

一濕氣阻隔層，形成于所述化合物半導體集成電路之上，其中所述濕氣阻隔層由氧化鋁所構成，所述濕氣阻隔層的厚度大于或等于且小于或等于

2.根據權利要求1所述的化合物半導體集成電路的抗濕氣結構，其特征在于，所述化合物半導體集成電路包括選自以下群組的至少一者：一主動元件以及一被動元件。

3.根據權利要求2所述的化合物半導體集成電路的抗濕氣結構，其特征在于，所述主動元件包括選自以下群組的至少一者：一異質接面雙極性晶體管、一高電子遷移率場效晶體管、一假型高電子遷移率場效晶體管、一氮化鎵高電子遷移率場效晶體管、一雙極性接面晶體管以及一場效晶體管。

4.根據權利要求1所述的化合物半導體集成電路的抗濕氣結構，其特征在于，所述化合物半導體集成電路包括至少一電子線路。

5.根據權利要求1所述的化合物半導體集成電路的抗濕氣結構，其特征在于，構成所述化合物半導體基板的材料包括選自以下群組的一者：石英、砷化鎵、藍寶石、磷化銦、磷化鎵、碳化硅、鉆石以及氮化鎵。

6.根據權利要求1所述的化合物半導體集成電路的抗濕氣結構，其特征在于，所述濕氣阻隔層覆蓋住所述化合物半導體集成電路的一外表面。

7.一種化合物半導體集成電路的抗濕氣結構，其特征在于，包括：

一化合物半導體基板；

一化合物半導體磊晶結構，形成于所述化合物半導體基板之上；

一化合物半導體集成電路，形成于所述化合物半導體磊晶結構之上；以及

一濕氣阻隔層，形成于所述化合物半導體集成電路之上，其中所述濕氣阻隔層包含一第一濕氣阻隔層以及一第二濕氣阻隔層，所述第一濕氣阻隔層由氧化鋁所構成，所述第一濕氣阻隔層的厚度大于或等于且小于或等于其中構成所述第二濕氣阻隔層的材料包括選自以下群組的一者：氮化硅、聚苯并惡唑、苯并環丁烯以及聚酰亞胺，藉此提高所述化合物半導體集成電路的抗濕氣能力。

8.根據權利要求7所述的化合物半導體集成電路的抗濕氣結構，其特征在于，所述第二濕氣阻隔層形成于所述化合物半導體集成電路之上，所述第一濕氣阻隔層形成于所述第二濕氣阻隔層之上。

9.根據權利要求8所述的化合物半導體集成電路的抗濕氣結構，其特征在于，構成所述第二濕氣阻隔層的材料包括選自以下群組的一者：聚苯并惡唑、苯并環丁烯以及聚酰亞胺，且所述第二濕氣阻隔層的厚度大于或等于1μm且小于或等于10μm。

10.根據權利要求8所述的化合物半導體集成電路的抗濕氣結構，其特征在于，構成所述第二濕氣阻隔層的材料為氮化硅，且所述第二濕氣阻隔層的厚度大于或等于且小于或等于

11.根據權利要求7所述的化合物半導體集成電路的抗濕氣結構，其特征在于，所述第一濕氣阻隔層形成于所述化合物半導體集成電路之上，所述第二濕氣阻隔層形成于所述第一濕氣阻隔層之上。

12.根據權利要求11所述的化合物半導體集成電路的抗濕氣結構，其特征在于，構成所述第二濕氣阻隔層的材料為氮化硅，且所述第二濕氣阻隔層的厚度大于或等于且小于或等于

13.根據權利要求1-12中任一項所述的化合物半導體集成電路的抗濕氣結構，其特征在于，所述化合物半導體集成電路包括選自以下群組的至少一者：一主動元件以及一被動元件。

14.根據權利要求13所述的化合物半導體集成電路的抗濕氣結構，其特征在于，所述主動元件包括選自以下群組的至少一者：一異質接面雙極性晶體管、一高電子遷移率場效晶體管、一假型高電子遷移率場效晶體管、一氮化鎵高電子遷移率場效晶體管、一雙極性接面晶體管以及一場效晶體管。

15.根據權利要求7所述的化合物半導體集成電路的抗濕氣結構，其特征在于，所述化合物半導體集成電路包括至少一電子線路。