[發(fā)明專利]基于二硫化鉬和磁控濺射氮化鋁的氮化鎵生長方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610334076.7 | 申請日： | 2016-05-19 |
| 公開（公告）號： | CN105810562B | 公開（公告）日： | 2018-05-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張進(jìn)成;龐凱;陳智斌;呂佳騏;朱家鐸;許晟瑞;林志宇;寧靜;張金風(fēng);郝躍 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安電子科技大學(xué) |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;C23C14/35;C23C14/06;C23C16/34;C23C28/04 |
| 代理公司： | 陜西電子工業(yè)專利中心 61205 | 代理人： | 田文英;王品華 |
| 地址： | 710071*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 生長 磁控濺射 二硫化鉬 氮化鋁 氮化鎵材料 氮化鎵層 氮化鎵 氮化鋁過渡層 氮化鋁緩沖層 氮化鎵基器件 氮化鎵薄膜 熱處理 過渡層 襯底 制作 | ||
【權(quán)利要求書】：
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
