[發明專利]基于二硒化錫和磁控濺射氮化鋁的氮化鎵生長方法有效
| 申請號： | 201610333650.7 | 申請日： | 2016-05-19 |
| 公開（公告）號： | CN105869998B | 公開（公告）日： | 2018-07-06 |
| 發明（設計）人： | 張進成;呂佳騏;陳智斌;龐凱;朱家鐸;許晟瑞;林志宇;寧靜;張金風;郝躍 | 申請（專利權）人： | 西安電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;C23C14/35;C23C14/06;C23C16/34;C23C28/04 |
| 代理公司： | 陜西電子工業專利中心 61205 | 代理人： | 田文英;王品華 |
| 地址： | 710071*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 生長 磁控濺射 硒化 氮化鋁 氮化鎵層 氮化鎵 氮化鋁過渡層 氮化鋁緩沖層 氮化鎵基器件 脈沖激光淀積 氮化鎵薄膜 氮化鎵材料 熱處理 過渡層 襯底 可用 制作 | ||
【權利要求書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
