[發明專利]一種具有三柵結構的HK SOI LDMOS器件有效
| 申請號： | 201610333480.2 | 申請日： | 2016-05-19 |
| 公開（公告）號： | CN106024858B | 公開（公告）日： | 2018-10-26 |
| 發明（設計）人： | 羅小蓉;呂孟山;尹超;魏杰;譚橋;周坤;葛薇薇;何清源 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛啟函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 結構 hk soi ldmos 器件 | ||
【說明書】：
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于電子科技大學，未經電子科技大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610333480.2/2.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種超結半導體器件終端結構
- 下一篇：用于制造半導體器件的方法
- 同類專利
- 專利分類
