[發(fā)明專利]一種有效抑制電源電壓影響的電流鏡有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610333070.8 | 申請日： | 2016-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN105867518B | 公開（公告）日： | 2017-10-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王宇星;錢英杰;居吉喬 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫科技職業(yè)學(xué)院 |
| 主分類號： | G05F3/26 | 分類號： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 無錫盛陽專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙)32227 | 代理人： | 顧吉云 |
| 地址： | 214028 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 有效 抑制 電源 電壓 影響 電流 | ||
1.一種有效抑制電源電壓影響的電流鏡，其特征在于：其包括參考電流產(chǎn)生電路、第一鏡像電路、第二鏡像電路及電流輸出電路，所述參考電流產(chǎn)生電路的輸出端連接所述第一鏡像電路、第二鏡像電路的輸入端，所述第一鏡像電路、第二鏡像電路的輸出端輸出至所述電流輸出電路；所述第二鏡像電路包括PMOS管PM3、NMOS管NM7、NMOS管NM8，所述PMOS管PM3的柵極接NMOS管NM1的漏極，所述PMOS管PM3的源極接電源，所述PMOS管PM3的漏極接所述NMOS管NM7的漏極，所述NMOS管NM7的柵極接NMOS管NM2的漏極，所述NMOS管NM7的源極接所述NMOS管NM8的漏極，所述NMOS管NM8的柵極接所述NMOS管NM7的漏極，所述NMOS管NM8的源極接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種有效抑制電源電壓影響的電流鏡，其特征在于：所述參考電流產(chǎn)生電路包括PMOS管PM1、NMOS管NM1，所述PMOS管PM1的柵極接所述NMOS管NM1的漏極，所述PMOS管PM1的源極接電源，所述PMOS管PM1的漏極接所述NMOS管NM1的漏極；所述NMOS管NM1的柵極接對外端口的偏置電壓Vbias，所述NMOS管NM1的源極接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種有效抑制電源電壓影響的電流鏡，其特征在于：所述第一鏡像電路包括PMOS管PM2、NMOS管NM2，所述PMOS管PM2的柵極接NMOS管NM1的漏極，所述PMOS管PM2的源極接電源，所述PMOS管PM2的漏極接所述NMOS管NM2的漏極，所述NMOS管NM2的柵極接所述NMOS管NM2的漏極，所述NMOS管NM2的源極接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種有效抑制電源電壓影響的電流鏡，其特征在于：所述電流輸出電路包括NMOS管NM3~NM6，所述NMOS管NM3的柵極接NMOS管NM2的漏極，所述NMOS管NM3的源極接所述NMOS管NM4的漏極，所述NMOS管NM3的漏極接電流輸出端口Iout1；所述NMOS管NM4的柵極接NMOS管NM7的漏極，所述NMOS管NM4的源極接地；所述NMOS管NM5的柵極接NMOS管NM2的漏極，所述NMOS管NM5的源極接所述NMOS管NM6的漏極，所述NMOS管NM5的漏極接電流輸出端口Iout2；所述NMOS管NM6的柵極接所述NMOS管NM7的漏極，所述NMOS管NM6的源極接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種有效抑制電源電壓影響的電流鏡，其特征在于：所述參考電流產(chǎn)生電路包括PMOS管PM1、NMOS管NM1，所述PMOS管PM1的柵極接對外端口的偏置電壓Vbias，所述PMOS管PM1的源極接電源，所述PMOS管PM1的漏極接所述NMOS管NM1的漏極，所述NMOS管NM1的柵極接所述NMOS管NM1的漏極，所述NMOS管NM1的源極接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種有效抑制電源電壓影響的電流鏡，其特征在于：所述第一鏡像電路包括PMOS管PM2、NMOS管NM2，所述PMOS管PM2的柵極接所述NMOS管NM2的漏極，所述PMOS管PM2的源極接電源，所述PMOS管PM2的漏極接所述NMOS管NM2的漏極，所述NMOS管NM2的柵極接NMOS管NM1的漏極，所述NMOS管NM2的源極接地。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種有效抑制電源電壓影響的電流鏡，其特征在于：所述第二鏡像電路包括PMOS管PM7、PM8、NMOS管NM3，所述PMOS管PM7的柵極接所述NMOS管NM3的漏極，所述PMOS管PM7的源極接電源，所述PMOS管PM7的漏極接所述PMOS管PM8的源極，所述PMOS管PM8的柵極接NMOS管NM2的漏極，所述PMOS管PM8的漏極接所述NMOS管NM3的漏極，所述NMOS管NM3的柵極接NMOS管NM1的漏極，所述NMOS管NM3的源極接地。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種有效抑制電源電壓影響的電流鏡，其特征在于：所述電流輸出電路包括PMOS管PM3~PM6，所述PMOS管PM3的柵極接NMOS管NM3的漏極，所述PMOS管PM3的源極接電源，所述PMOS管PM3的漏極接所述PMOS管PM4的源極，所述PMOS管PM4的柵極接NMOS管NM2的漏極，所述PMOS管PM4的漏極接電流輸出端口Iout1，所述PMOS管PM5的柵極接所述NMOS管NM3的漏極，所述PMOS管PM5的源極接電源，所述PMOS管PM5的漏極接所述PMOS管PM6的源極，所述PMOS管PM6的柵極接所述NMOS管NM2的漏極，所述PMOS管PM6的漏極接電流輸出端口Iout2。
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