[發明專利]一種MEMS剪切式壓電噴墨打印頭及其制備方法有效
| 申請號: | 201610332988.0 | 申請日: | 2016-05-18 |
| 公開(公告)號: | CN107399166B | 公開(公告)日: | 2019-05-17 |
| 發明(設計)人: | 李鵬;謝永林;張小飛;李令英;錢波;周巖;王文浩 | 申請(專利權)人: | 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所;蘇州銳發打印技術有限公司 |
| 主分類號: | B41J2/16 | 分類號: | B41J2/16 |
| 代理公司: | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人: | 孫偉峰 |
| 地址: | 215123 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 mems 剪切 壓電 噴墨 打印頭 及其 制備 方法 | ||
1.一種MEMS剪切式壓電噴墨打印頭的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
S01、提供一硅襯底(10),并在所述硅襯底(10)的下表面刻蝕形成環形槽(11);
S02、在所述硅襯底(10)的下表面沉積結構層(20),并使所述結構層(20)將所述環形槽(11)填充滿;
S03、自所述硅襯底(10)的上表面向下形成貫穿所述硅襯底(10)的墨水通道(12)、以及在所述結構層(20)上形成與所述墨水通道(12)連通的噴孔(13),其中,所述墨水通道(12)尺寸匹配地穿過所述環形槽(11)限定的內環空間;
S04、將具有槽狀的壓力腔(31)的PZT襯底(30)與所述硅襯底(10)鍵合,并使所述壓力腔(31)與所述墨水通道(12)對應配合設置;
S05、極化所述PZT襯底(30)并在所述PZT襯底(30)上表面制備金屬驅動電極(S),并在所述PZT襯底(30)上形成連通所述墨水通道(12)的進墨通口。
2.根據權利要求1所述的MEMS剪切式壓電噴墨打印頭的制備方法,其特征在于,所述壓力腔(31)的制作步驟包括:在所述PZT襯底(30)上沉積材料層(2)并在所述材料層(2)中部光刻形成所述壓力腔(31)。
3.根據權利要求1所述的MEMS剪切式壓電噴墨打印頭的制備方法,其特征在于,所述壓力腔(31)的寬度和高度分別為100~1000μm和20~100μm。
4.根據權利要求1所述的MEMS剪切式壓電噴墨打印頭的制備方法,其特征在于,所述步驟S03中,所述墨水通道(12)和所述噴孔(13)均通過光刻形成。
5.根據權利要求2所述的MEMS剪切式壓電噴墨打印頭的制備方法,其特征在于,所述材料層(2)為SU-8光刻膠或聚酰亞胺。
6.根據權利要求1所述的MEMS剪切式壓電噴墨打印頭的制備方法,其特征在于,所述環形槽(11)的深寬比為1:1~1:5。
7.根據權利要求1所述的MEMS剪切式壓電噴墨打印頭的制備方法,其特征在于,所述步驟S04中,鍵合材料為BCB膠,其厚度為3~10μm。
8.根據權利要求1所述的MEMS剪切式壓電噴墨打印頭的制備方法,其特征在于,所述步驟S05中,所述金屬驅動電極(S)的材質選自鉑、金、銀、銅、銅合金、鈦、鈦合金、鎳中任意一種,其厚度為50~200nm。
9.根據權利要求1-8任一所述的MEMS剪切式壓電噴墨打印頭的制備方法,其特征在于,所述結構層(20)為氧化硅或氮化硅,或氧化硅與氮化硅的交替沉積結構。
10.根據權利要求9所述的MEMS剪切式壓電噴墨打印頭的制備方法,其特征在于,所述墨水通道(12)的深度為200~500μm、所述噴孔(13)的深度為10~30μm,和/或所述墨水通道(12)的寬度為50~200μm、所述噴孔(13)的寬度為10~30μm。
11.根據權利要求10所述的MEMS剪切式壓電噴墨打印頭的制備方法,其特征在于,所述進墨通口的寬度和長度分別為100~1000μm和200~1000μm。
12.一種MEMS剪切式壓電噴墨打印頭,其特征在于,使用權利要求1-11任一所述的制備方法制備而成。
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