[發明專利]一種半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201610332629.5
• 申請日: 2016-05-18
• 公開（公告）號: CN107403729A
• 公開（公告）日: 2017-11-28
• 發明（設計）人: 陳騰
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/788;H01L29/51
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所11336
• 代理人: 董巍,高偉

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成隧穿氧化層；

在所述隧穿氧化層上依次形成第一緩沖層和浮柵層；

在所述浮柵層上依次形成第二緩沖層和柵間介電層；其中，

所述第一緩沖層和所述第二緩沖層具有比所述隧穿氧化層和所述柵間介電層的底層氧化層更高的機械性能和電學耐力。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一緩沖層和所述第二緩沖層的材料包括氮化硅。

3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，使用低溫噴射氣相沉積法形成所述第一緩沖層和所述第二緩沖層。

4.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一緩沖層和所述第二緩沖層的厚度均在15～25埃范圍內。

5.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述柵間介電層包括氧化物-氮化物-氧化物構成的ONO層。

6.如權利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述隧穿氧化層的厚度范圍為78～83埃，所述柵間介電層中的氮化物的厚度范圍為35～45埃。

7.一種半導體器件，其特征在于，包括：

半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有隧穿氧化層；

在所述隧穿氧化層上依次形成有第一緩沖層和浮柵層；

在所述浮柵層上依次形成有第二緩沖層和柵間介電層；其中，所述第一緩沖層和所述第二緩沖層具有比所述隧穿氧化層和所述柵間介電層的底層氧化層更高的機械性能和電學耐力。

8.如權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，所述第一緩沖層和所述第二緩沖層的材料包括氮化硅。

9.如權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，所述第一緩沖層和所述第二緩沖層的厚度均在15～25埃范圍內。

10.如權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，所述柵間介電層包括氧化物-氮化物-氧化物構成的ONO層。