[發明專利]一種晶圓的精拋光方法在審
| 申請號： | 201610331501.7 | 申請日： | 2016-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN107398779A | 公開（公告）日： | 2017-11-28 |
| 發明（設計）人： | 崔世勳;李章熙 | 申請（專利權）人： | 上海新昇半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | B24B1/00 | 分類號： | B24B1/00;B24B29/02 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙)31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 201306 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 拋光 方法 | ||
1.一種晶圓的拋光方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1：對晶圓進行雙面拋光；
S2：對所述晶圓進行清洗；
S3：對所述晶圓正面進行精拋光；所述精拋光包括第一階段、第二階段及第三階段；其中，第一階段的硅拋光速率大于第二階段、第三階段的硅拋光速率。
2.根據權利要求1或所述的晶圓的拋光方法，其特征在于：所述第一階段采用第一拋光墊及第一拋光液；所述第二階段采用第二拋光墊及第二拋光液；所述第三階段采用第三拋光墊及第三拋光液。
3.根據權利要求1或2所述的晶圓的拋光方法，其特征在于：所述第一階段的硅拋光速率至少為所述第二階段及第三階段的硅拋光速率的3倍。
4.根據權利要求1或2所述的晶圓的拋光方法，其特征在于：所述第一階段的硅拋光速率為0.2～0.7μm/min；所述第二階段的硅拋光速率為0.01～0.05μm/min；所述第三階段的硅拋光速率為0.01～0.03μm/min。
5.根據權利要求2所述的晶圓的拋光方法，其特征在于：所述第一拋光墊采用粗拋光墊，所述第二拋光墊及第三拋光墊采用精拋光墊；所述第一拋光液采用粗拋光液，所述第二拋光液及第三拋光液采用精拋光液；其中，所述粗拋光墊的粗糙度、硬度分別大于所述精拋光墊的粗糙度、硬度。
6.根據權利要求5所述的晶圓的拋光方法，其特征在于：所述粗拋光墊采用聚氨酯拋光墊；所述精拋光墊采用無紡布拋光墊。
7.根據權利要求5所述的晶圓的拋光方法，其特征在于：所述粗拋光液中的磨料包括氧化硅、氧化鋁和氧化鈰中的一種或多種；所述精拋光液中包含氧化硅膠體及聚合物。
8.根據權利要求2所述的晶圓的拋光方法，其特征在于：所述第一拋光墊、第二拋光墊及第三拋光墊均采用精拋光墊；所述第一拋光液采用粗拋光液，所述第二拋光液及第三拋光液采用精拋光液。
9.根據權利要求8所述的晶圓的拋光方法，其特征在于：所述精拋光墊采用無紡布拋光墊。
10.根據權利要求8所述的晶圓的拋光方法，其特征在于：所述粗拋光液中包含氧化鈰磨料；所述精拋光液中包含氧化硅膠體及聚合物。
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