[發明專利]增強型GaN基高電子遷移率晶體管及其制備方法有效
| 申請號： | 201610331114.3 | 申請日： | 2016-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN105845723B | 公開（公告）日： | 2019-03-15 |
| 發明（設計）人： | 黃森;劉新宇;王鑫華;魏珂 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228 | 代理人： | 張瑾 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 增強 gan 電子 遷移率 晶體管 及其 制備 方法 | ||
【說明書】：
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