[發明專利]一種高真空變溫有機半導體器件測量腔

在審

• 申請號: 201610329672.6
• 申請日: 2016-05-18
• 公開（公告）號: CN107403741A
• 公開（公告）日: 2017-11-28
• 發明（設計）人: 彭應全;許昆;呂文理
• 申請（專利權）人: 蘭州大學
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/66
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高真空變溫有機半導體器件測量腔，它由腔體、低溫樣品臺、高溫樣品臺和抽真空系統組成，抽真空系統與腔體相連，為其提供高真空度；低溫樣品臺和高溫樣品臺置于腔體內之內，分別為處于真空環境的樣品提供低溫(低于室溫)和高溫(高于室溫)。

2.如權利要求1所述的高真空變溫有機半導體器件測量腔，其特征在于，低溫樣品臺的低溫由半導體制冷片產生，并由溫度控制器控制，實現-50℃至室溫的溫度變化。

3.如權利要求1所述的高真空變溫有機半導體器件測量腔，其特征在于，高溫樣品臺的高溫由電加熱器產生，并由溫度控制器控制，實現室溫至500℃的溫度變化。

4.如權利要求1所述的高真空變溫有機半導體器件測量腔，其特征在于，(1)腔體具有多路氣體輸入口，與微調閥的配合，可有效且可控地改變測量腔內的氣氛種類和壓力，實現不同氣氛下對有機半導體器件的測量；(2)腔體配備多電極法蘭，用于電源的輸入和電信號的輸入和輸出；(3)腔體配備石英窗作為入射光、出射光的窗口及觀察窗口。