[發(fā)明專利]一種氯硅烷殘液生產(chǎn)氯化氫氣體的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610328710.6 | 申請(qǐng)日: | 2016-05-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106006557B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-06-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃兵;李銀光;張?chǎng)?/a>;陳樑;鄭惠文 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 昆明理工大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | C01B7/01 | 分類(lèi)號(hào): | C01B7/01 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 650093 云*** | 國(guó)省代碼: | 云南;53 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氯化氫氣體 氯硅烷 殘液 飽和鹽酸 水解 氫氣 反應(yīng)釜 氯化氫 鹽酸 吸收塔 多晶硅生產(chǎn)廢物 氯硅烷氣體 放熱反應(yīng) 合成工序 降低生產(chǎn) 解析設(shè)備 能源消耗 三氯氫硅 水解反應(yīng) 運(yùn)行成本 裝置建設(shè) 過(guò)飽和 氣流帶 吸收液 再吸收 中高速 資源化 深冷 水冷 霧滴 返回 生產(chǎn) 釋放 吸收 | ||
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