[發(fā)明專利]具有低溫AlInN插入壘層的氮化物發(fā)光二極管外延片及其生產(chǎn)工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610328647.6 | 申請日： | 2016-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN105932123B | 公開（公告）日： | 2018-11-06 |
| 發(fā)明（設計）人： | 閆其昂;戴俊;王明洋;李志聰;孫一軍;王國宏 | 申請（專利權(quán)）人： | 揚州中科半導體照明有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/04 | 分類號： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 揚州市錦江專利事務所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 低溫 alinn 插入 氮化物 發(fā)光二極管 外延 及其 生產(chǎn)工藝 | ||
【權(quán)利要求書】：
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于揚州中科半導體照明有限公司，未經(jīng)揚州中科半導體照明有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610328647.6/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
