[發(fā)明專利]單晶硅雙面太陽電池及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610328025.3
• 申請日: 2016-05-17
• 公開（公告）號: CN105826411B
• 公開（公告）日: 2017-12-08
• 發(fā)明（設計）人: 盛赟;陳奕峰;崔艷峰;袁聲召;端偉元;王子港
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/18
• 代理公司: 浙江永鼎律師事務所33233
• 代理人: 郭小麗

1.單晶硅雙面太陽電池，在單晶硅襯底(100)的正面依次形成正面制絨形貌結構(1)、正面PN發(fā)射結(2)、正面鈍化減反介質層(3)以及正面電極(4)，在單晶硅襯底的背面依次形成背面制絨形貌結構(5)、背表面場(6)、背面鈍化減反介質層(7)以及背面電極(8)，其特征在于：所述背面制絨形貌結構(5)為平臺形絨面，各平臺結構(5a)分散，或者，平鋪，或者，部分分散、部分平鋪、部分相連、部分交疊地分布在硅襯底上；所述平臺結構(5a)具有與硅襯底(100)相連接的下平面及下平面相對的上平面，下平面的尺寸大于上平面；所述上平面的邊長為2至10μm，平臺結構(5a)的高度為1至8μm。

2.根據(jù)權利要求1所述的單晶硅雙面太陽電池，其特征在于：所述正面鈍化減反介質層(3)和背面鈍化減反介質層(7)分別為由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁、碳化硅、非晶硅、微晶硅、氧化銦錫或者氧化鈦為材料組成的單層膜或多層膜。

3.根據(jù)權利要求1所述的單晶硅雙面太陽電池，其特征在于：所述正面電極(104)、背面電極(108)為銀、鋁、銅、鎳、鈦、錫、鉛、鎘、金、鋅的一種或多種金屬或其合金。

4.一種單晶硅雙面太陽電池的制備方法，用于制備權利要求1-3任一所述單晶硅雙面太陽電池，包括如下步驟：

S1：在單晶硅襯底表面制絨；

S2：正面摻雜形成發(fā)射結；

S3：去除背面含雜質玻璃層；

S4：濕化學法制備背面平臺結構，并去除背面摻雜層；

S5：背面摻雜形成背表面場；

S6：制備正面、背面鈍化減反介質層；

S7：制備正面、背面電極。

5.根據(jù)權利要求4所述的單晶硅雙面太陽電池的制備方法，其特征在于：在步驟S4中，濕化學法制備背面平臺結構所采用的化學藥劑有氫氧化鈉、氫氧化鉀、四甲基氫氧化銨、硝酸、磷酸、氫氟酸、乙醇、異丙醇或乙二醇中的一種或兩種以上混合的水溶液；制備溫度是60至80℃，時間是10-900秒。

6.根據(jù)權利要求4所述的單晶硅雙面太陽電池的制備方法，其特征在于：在步驟S2和S3之間，還包括如下步驟：

S2-1：正面沉積阻擋層：采用PECVD在正面沉淀氧化硅薄膜的工藝阻擋層，厚度是50至300nm。

7.根據(jù)權利要求4所述的單晶硅雙面太陽電池的制備方法，其特征在于：在步驟S5和S6之間，還包括如下步驟：

S5-1：使用氫氟酸去除正面的氧化硅、磷硅玻璃和背面的硼硅玻璃。